《中国工程科学》 >> 2023年 第25卷 第1期 doi: 10.15302/J-SSCAE-2023.01.003
集成电路用高纯金属溅射靶材发展研究
1. 有研亿金新材料有限公司,北京 102200;
2. 集成电路关键材料国家工程研究中心,北京 100088;
3. 中国有研科技集团有限公司,北京 100088
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摘要
高纯金属溅射靶材是集成电路用关键基础材料,实现集成电路用靶材的全面自主可控,对推动集成电路产业高质量发 展具有基础性价值。本文分析了集成电路用高纯金属溅射靶材的应用需求,梳理了相应高纯金属溅射靶材的研制现状,涵盖 高纯铝及铝合金、高纯铜及铜合金、高纯钛、高纯钽、高纯钴和镍铂、高纯钨及钨合金等细分类别。在凝练我国高端靶材制 备关键技术及工程化方面存在问题的基础上,着眼领域2030年发展目标,提出了集成电路用高纯金属溅射靶材产业的重点 发展方向:提升材料制备技术水平,攻克高性能靶材制备关键技术,把握前沿需求开发高端新材料,提升材料分析检测和应 用评价能力。研究建议,开展“产学研用”体系建设,解决关键设备国产化问题,加强人才队伍建设力度,掌握自主知识产 权体系,拓展国际合作交流,以此提升高纯金属溅射靶材的发展质量和水平。
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