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信息与电子工程前沿（英文）

2021年第22卷第3期页码 287-436

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10.1631/FITEE.2000079

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We demonstrate a structure for tunable wide-incident-angle terahertz wave absorption, which involves depositing planar arrays of on a silicon dioxide substrate. We also discuss how the graphene Fermi-level layer and various substrates affect the absorption characteristics. The absorption of the proposed is above 80% at an incident angle of 0°–60° in frequencies ranging from 0.82 to 2.0 THz. Our results will be very beneficial in the application of terahertz wave communications and biomedical imaging/sensing systems.

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