以InSe作为可饱和吸收体的传统孤子光纤激光器

2021年第22卷第3期

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《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2021年第22卷第3期 doi: 10.1631/FITEE.2000387

以InSe作为可饱和吸收体的传统孤子光纤激光器

1山东理工大学物理与光电工程学院，中国淄博市，255000；2山东师范大学光场调控及应用中心，中国济南市，250358

收稿日期： 2020-07-29 录用日期： 2021-03-08 发布日期： 2021-03-08

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摘要

InSe是一种典型层状金属硫化物半导体，在超快光子学器件开发方面具有巨大应用潜力。本文通过混合InSe纳米片和PVA形成InSe-PVA薄膜制备可饱和吸收体。InSe可饱和吸收体表现出明显的非线性吸收特性，非饱和吸收和调制深度分别为37.5%和9.55%。以InSe为锁模器件，在掺铒光纤激光器中产生了传统孤子。中心波长、传统孤子脉宽和脉冲频率分别为1568.73 nm、2.06 ps和1.731 MHz。在泵功率为413 mW时，最大平均输出功率为16.4 mW。这是首次以InSe为锁模器件产生的传统孤子激光。实验进一步证明InSe是一种可应用于超光纤激光的优秀非线性吸收材料。

关键词

光纤激光器 ; 纳米片 ; 传统孤子