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期刊论文 17

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2018 1

2017 2

2015 2

2008 1

2007 2

2005 1

2000 1

1999 1

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关键词

晶体硅太阳电池 2

8英寸 1

HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀 1

中子衍射，磁相图，晶体结构 1

串联内阻 1

光存储 1

光电子晶体 1

全固态激光器 1

分子二极管 1

分子导线 1

分子晶体管 1

分子电子学 1

分子电容器 1

功率全微分 1

功能材料，激光晶体，非线性光学晶体，闪烁晶体，弛豫型铁电晶体，半导体 1

半导体纳米晶体；突触器件；神经形态计算 1

参量独立性 1

含钒钢渣 1

固溶体 1

场效应管 1

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检索范围：

排序：展示方式：

中国功能晶体研究进展 Review

王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton

《工程（英文）》 2015年第1卷第2期页码 192-210 doi: 10.15302/J-ENG-2015053

摘要：

功能晶体是现代科学技术发展的基础材料之一，在当前信息时代发挥着重要和关键的作用。本文总结了若干功能晶体的研究进展，综述了中国功能晶体的现状及重大成就和重要应用，讨论了功能晶体面临的挑战和机遇，提出了可能的发展方向。

关键词：功能材料，激光晶体，非线性光学晶体，闪烁晶体，弛豫型铁电晶体，半导体

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制药工业中结晶过程的最新进展 Review

高振国, Rohani Sohrab, 龚俊波, 王静康

《工程（英文）》 2017年第3卷第3期页码 343-353 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.022

摘要：本文中，我们综述了制药工业中晶体工程以及结晶过程设计和控制的最新研究进展，系统地总结了理解和开发新型晶体如共晶、多晶型、溶剂化物的方法，包括一些重要的进展，如第一个共晶药物Entresto (诺华) 的诞生以及

关键词：结晶晶体工程多晶型结晶过程设计和控制晶体粒度分布

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决定晶体硅太阳电池工作状态的独立参量的确定

丁金磊,程晓舫,翟载腾,查,茆美琴

《中国工程科学》 2007年第9卷第4期页码 94-98

摘要：

从晶体硅太阳电池功率全微分方程出发，结合开路电压和功率随温度、日照变化的实验事实，研究影响晶体硅太阳电池工作状态的各参量的独立性。

关键词：晶体硅太阳电池功率全微分参量独立性串联内阻

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8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词：绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度沟槽栅 8英寸轨道交通

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晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达

丁金磊,程晓舫,余世杰,何慧若

《中国工程科学》 2005年第7卷第6期页码 45-49

摘要：

从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发，推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。与传统的电工电路不同，太阳电池电路最大功率点下的负载大于太阳电池内阻，并随着温度的升高，其比值逐渐降低。

关键词：晶体硅太阳电池最大功率负载

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ITU-R建议中几项电波传播技术模式

张明高

《中国工程科学》 2000年第2卷第7期页码 74-78

摘要：它包括对流层散射传输损耗统计预测方法、海事卫星移动通信海面反射衰落预测方法、电离层闪烁衰落换算方法、大气衰减简易预测方法和陆地移动通信场强预测方法。

关键词：电波传播对流层散射海面反射电离层闪烁大气衰减

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基于半导体纳米晶体的神经突触器件 Review

步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5

《信息与电子工程前沿（英文）》 2022年第23卷第11期页码 1579-1601 doi: 10.1631/FITEE.2100551

摘要：在用于制备突触器件的各种材料中，半导体纳米晶体（NCs）因其优异的电学和光学性能而成为首选材料之一。本综述论文首先介绍了基于半导体纳米晶体的突触器件的研究背景及半导体纳米晶体的基本性质。然后，根据器件有源层所用纳米晶体种类的不同，分类介绍了基于纳米晶体的突触器件的最新研究进展。最后，讨论了基于半导体纳米晶体的突触器件目前仍面临的问题和挑战。

关键词：半导体纳米晶体；突触器件；神经形态计算

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光电子晶体与全固态激光器及其应用——光电子技术发展的一个重大方向

许祖彦

《中国工程科学》 1999年第1卷第2期页码 72-77

摘要： 20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破，导致全固态激光器的实用化，这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献，如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、

关键词：光电子晶体全固态激光器材料加工光存储激光显示激光核聚变

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基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077

摘要：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）可替代传统晶体管，尤其在基于近似计算的容错数字电路中。本文结合CNTFET技术和栅极扩散输入（GDI）技术，提出3种分别具有6、6和8个晶体管的基于近似计算的全加器。采用基于非支配排序的遗传算法II，将管数和手性向量作为变量，对所提单元进行性能寻优。在电路晶体管中使用的动态阈值技术修正了可能出现的输出压降。所提电路出色的电路性能和差错率使其可以作为复杂算术电路（如乘法器）的最低有效位（LSB）部分。

关键词：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算

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DyFe₁₁Ti磁结构及其自旋重取向的中子衍射研究 Article

Olivier Isnard, Eder J. Kinast

《工程（英文）》 2020年第6卷第2期页码 153-157 doi: 10.1016/j.eng.2019.11.009

摘要：尽管磁结构发生了很大的变化，但在研究的温度范围内ThMn₁₂型晶体结构一直保持不变。在第一阶段的自旋重取向温度（T_SR1）时，观察到了易磁化轴的急剧倾斜；易磁化轴与晶体c轴之间的夹角从2 K的90°减小到200 K时的约

关键词：中子衍射，磁相图，晶体结构

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分子电子学的发展 Review

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

《工程（英文）》 2018年第4卷第6期页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001

摘要：本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。

关键词：分子电子学分子晶体管分子二极管分子电容器分子导线石墨烯

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在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article

Hadi JAHANIRAD

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084

摘要：现场可编程门阵列（FPGA）器件由于其低设计成本和可重构性，在电子系统中得到广泛应用。在手持电子系统等电池受限的应用中，低功耗FGPA的需求很大。在现代集成电路技术中，泄漏功率几乎相当于动态功率，因此降低泄漏功率可以显著节省能耗。我们提出一种基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA高效架构，其中每个模块定义了两种模式（活动模式和休眠模式）。在休眠模式下，模块消耗超低泄漏功率。当模块输出对新输入向量的评估时，模块模式由休眠模式动态改变为活动模式。在产生正确的输出后，该模块返回到休眠模式。所提电路设计在活动模式和休眠模式下都降低了泄漏功耗。通过在FPGA-SPICE软件上实现北卡罗来纳州微电子中心（MCNC）基准电路，将所提出的低泄漏FPGA体系结构与最先进的体系结构进行比较。仿真结果表明，休眠模式下泄漏功耗降低约95%。此外，与以往的最佳设计相比，总功耗（泄漏功耗+动态功耗）降低15%以上。平均面积开销（4.26%）小于其他电源门控设计。

关键词：现场可编程门阵列（FPGA）；泄漏功率；电源门控；晶体管级电路设计

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高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵野,陆生礼

《中国工程科学》 2008年第10卷第2期页码 72-78

摘要：

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明，该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。

关键词：垂直双扩散MOS场效应晶体管静态物理模型解析方法

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含钒钢渣中钒再资源化的基础研究

董元篪,武杏荣,余　亮,李辽沙

《中国工程科学》 2007年第9卷第1期页码 63-68

摘要：两个相中转变为集中分布在Ca₃[(V,P,Si)]O₄]₂固溶体相中，其中 V₂O的质量分数达到24.38％，但是生成的钒富集相晶体尺寸较小晶化试验表明，钒富集相核化存在非均匀核化与均匀核化，温度分别在1350℃ 和1325 ℃ ；在1300 ℃ 保温条件下，钒富集相的晶体由 5 min 的 6.24 μm 生长到 580min 的 25.19 μm，单位面积上的晶体数随之下降。

关键词：含钒钢渣富集钒富集相晶体生长固溶体