2000年 第2卷 第12期
电子级多晶硅的生产工艺
中国科学院半导体研究所，北京 100083
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摘要
就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较。介绍了用三氣氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。
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图2
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参考文献
[ 1 ] 梁骏吾 .兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考[J].中国工程科学 , 2 0 0 0 , 2 (6 ) :33 链接1
[ 2 ] WacherSitronicAG .Polysilicon production 1995～2 0 0 3, 1995
[ 3 ] RogersLO .Handbookofsemiconductorsilicontech nology [M ].NoyesPubl.NewJersey , 1990 , 33～93
[ 4 ] Conventionalpolysiliconprocess (SiemensTechnology) report, DOE/JPL 95 4343 2 1, NatTechInformCen terSpringfield , 1981, 2 0 8
[ 5 ] ProductspecificationofWacker ChemieGmbH , 1999, PCA CH4;1998, PCA AE4
[ 6 ] UnionCarbideCorp .Finalreport, DOE/JPL 95 4334 2 1, NatTechInformCenter , Springfield , 1981
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