2015年 第17卷 第1期
温度对碳热还原/氮化法合成氮化硅的影响
1. 澳大利亚新南威尔士大学材料科学与工程学院，悉尼 2052;
2. 澳大利亚卧龙岗大学机械材料与机电一体化学院，卧龙岗 2522;
3. 澳大利亚维多利亚大学可持续发展与创新研究院，墨尔本 3030
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摘要
碳热还原/氮化合成Si3N4在1 300～1 600 ℃下N2或N2-H2混合气中进行。反应物由非晶SiO2与C粉以1∶4.5摩尔比混合、压片。产生的CO由红外传感器监测，样品中氧、氮、碳含量由LECO元素分析仪测得，混合物各相由X射线衍射(XRD)检测。SiO2还原反应在1 300 ℃以下开始，速率随温度升高增大；温度高于1 570 ℃时，速率因反应物表面被生成物覆盖降低。由于还原产物CO平衡分压差别小，选择生成Si3N4或SiC的临界温度不明显。碳热还原/氮化法合成氮化硅的原理需进一步探讨。
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参考文献
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