8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究

刘国友 , 丁荣军 , 罗海辉

工程(英文) ›› 2015, Vol. 1 ›› Issue (3) : 361 -366.

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工程(英文) ›› 2015, Vol. 1 ›› Issue (3) : 361 -366. DOI: 10.15302/J-ENG-2015043
研究论文

8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究

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Development of 8-inch Key Processes for Insulated-Gate Bipolar Transistor

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摘要

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设,重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题,实现了高压IGBT芯片制造从6英寸到8英寸的技术突破,自主开发的1600 A/1.7 kV与1500 A/3.3 kV IGBT模块已经被成功制造并通过考核,现已应用于轨道交通牵引系统。

Abstract

Based on the construction of the 8-inch fabrication line, advanced process technology of 8-inch wafer, as well as the fourth-generation high-voltage double-diffused metal-oxide semiconductor (DMOS+) insulated-gate bipolar transistor (IGBT) technology and the fifth-generation trench gate IGBT technology, have been developed, realizing a great-leap forward technological development for the manufacturing of high-voltage IGBT from 6-inch to 8-inch. The 1600 A/1.7 kV and 1500 A/3.3 kV IGBT modules have been successfully fabricated, qualified, and applied in rail transportation traction system.

关键词

绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) / 高功率密度 / 沟槽栅 / 8英寸 / 轨道交通

Key words

insulated-gate bipolar transistor (IGBT) / high power density / trench gate / 8-inch / rail transportation

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刘国友, 丁荣军, 罗海辉 8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究[J]. 工程(英文), 2015, 1(3): 361-366 DOI:10.15302/J-ENG-2015043

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