基于碳纳米管场效应管的新型三元半加器及乘法器

2017年第18卷第3期

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《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2017年第18卷第3期 doi: 10.1631/FITEE.1500366

基于碳纳米管场效应管的新型三元半加器及乘法器

. Department of Computer Engineering, Science and Research Branch, Islamic Azad University, Tehran, Iran.. Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, Tehran, Iran

发布日期： 2017-04-06

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摘要

多值逻辑（multiple-valued logic, MVL），例如三元逻辑，在近年来是大量研究项目的研究对象。MVL可以降低必要操作的数目、减小芯片面积。碳纳米管场效应管（CNTFETs）被认为是硅晶体管可行的替代方案。将CNTFETs与MVL结合，可以得到更快、更灵活的独特设计方案。本文利用微纳技术和三元逻辑设计出了新型的半加器和乘法器。微纳技术和三元逻辑的采纳降低了元件功耗和面积，提升了元件运行速度。我们利用斯坦福CNTFET模型和HSPICE软件对本文设计器件进行了仿真，并将仿真结果与相关研究结果进行了对比。

关键词

碳纳米管场效应管设计 ; 三元 ; 半加器 ; 乘法器 ; 多值逻辑