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孔梅影,曾一平
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第5期 页码 28-30
以分子束外延(MBE)GaAs基微结构材料为基础制作的HEMT,PHEMT等器件在信息产业中已广泛应用,在国外并已进入产业化。20世纪80年代中期以来,中科院半体所研制的MBE GaAs基材料,已被成功地用于制备出一系列新型半导体器件;其HEMT,PHEMT微结构材料的实用化性能指标已经基本达到国际一流产品的水平;并对MBE
关键词: 分子束外延 GaAs基微结构材料 PHEMT 高技术产业