碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析

2016年第17卷第10期

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《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2016年第17卷第10期 doi: 10.1631/FITEE.1500214

碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析

. Faculty of Electrical Engineering, Shahid Beheshti University, Tehran 1983963113, Iran.. Nanotechnology and Quantum Computing Lab, Shahid Beheshti University, Tehran 1983963113, Iran

发布日期： 2016-11-04

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摘要

概要：CMOS二进制逻辑受短沟道效应、功率密度及互连约束等条件的限制。非硅多值逻辑计算是克服上述问题的一种有效方案。本研究在碳纳米管场效应管（carbon nanotube field effect transistors, CNTFET）的基础上提出了两种高性能四进制全加单元。该全加单元利用了CNTFET独有的特性，如目标电压阈值可通过调整碳纳米管管径控制、CNTFET具有与p型和n型器件相同的迁移性。通过在Synopsys HSPICE中使用32 nm斯坦福综合CNTFET模型，在多种测试条件下对所述电路单元进行了仿真。与当前水平的四进制全加器相比，本文所采用的设计平均降低延迟32%，所需平均功率、能耗及静态功率分别为现有水平的68%、83%及77%。仿真结果表明，所述设计在生产制程、电压、温度变化、噪声耐受方面具有较好的鲁棒性。

关键词

纳米电子 ; 碳纳米管场效应管 ; 多值逻辑 ; 四进制逻辑