余弦忆导忆阻系统周期变化初值位移调控行为

2019年第20卷第12期

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《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2019年第20卷第12期 doi: 10.1631/FITEE.1900360

余弦忆导忆阻系统周期变化初值位移调控行为

School of Information Science and Engineering, Changzhou University, Changzhou 213164, China

发布日期： 2020-03-05

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摘要

利用一种新型余弦忆导理想忆阻，构造一个四维忆阻系统。由于忆导函数特殊的非线性，忆阻系统具有沿忆阻内部状态变量坐标轴分布的线平衡点集(0, 0, 0, δ)，且平衡点集稳定性随δ变化而周期性演化。数值仿真揭示了忆阻系统非线性、一维的初值位移调控行为，它不仅可由忆阻状态初值触发，也可由其他两个系统状态初值引发。特别地，在位移调控路线上，可以观测到多种具有不同位置和拓扑结构的共存吸引子。通过PSIM电路仿真对该特殊动力学特性进行了验证。

关键词

初值位移调控 ; 忆阻系统 ; 忆导 ; 线平衡点集