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2019年 第20卷 第12期

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《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2019年 第20卷 第12期 doi: 10.1631/FITEE.1900363

氧化锆量子点用于非易失性电阻式随机存取存储器

1. State Key Laboratory of Organic-Inorganic Composites, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, China
2. MoE Key Laboratory of Advanced Technology of Materials, School of Materials Science and Engineering, Southwest Jiaotong University, Chengdu 610031, China

发布日期： 2020-03-05
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摘要

提出一种利用氧化锆量子点作为有源层的非易失性电阻式随机存取器。通过旋涂法制备Ag(上)/ZrO2(有源层)/Ti(下)典型的三明治结构存储器件。该优化器件具有较高高/低电阻差（约10 Ω），良好循环性能（循环数大于100），较低转化电流（约1 μA）。通过原子力显微镜和扫描电子显微镜观察ZrO2有源层表面形貌和堆积状态。实验结果表明，ZrO2有源层紧密堆积，且由于ZrO2量子点分布均匀，ZrO2有源层粗糙度较低（Ra=4.49 nm）。分析了Ag/ZrO2/Ti器件导电机理，并研究银离子导电丝和氧空位对电阻开关记忆行为的影响。该研究为忆阻器材料开发提供了一种简单方案。

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