同质集成可见光互联芯片

2017年第18卷第9期

摘要

关键词

相关研究

回顶部

《信息与电子工程前沿（英文）》 >> 2017年第18卷第9期 doi: 10.1631/FITEE.1601720

同质集成可见光互联芯片

. Peter Grünberg Research Center,Nanjing University of Posts and Telecommunications, Nanjing 210003,China.. School of Computer Engineering, NanjingInstitute of Technology, Nanjing 211167, China

发布日期： 2018-01-18

HTML139 PDF 16 收藏 0

摘要

本文采用晶圆级微纳加工技术，基于硅衬底氮化镓晶圆，提出并制备了同质集成发射极、集电极和基极的可见光互联芯片。利用InGaN/GaN量子阱二极管器件发光探测共存的特性，芯片的发射极和集电极采用相同的量子阱结构，并通过相同的制备工艺实现。发射极和集电极之间通过悬空的光波导连接，实现器件之间的光互联。同质集成可见光互联芯片集成两个共基极的光致晶体管，实现芯片内可见光的发射、传输和探测功能。该可见光互联芯片可以广泛应用于光致类脑神经形态芯片、芯片内可见光通信、智能显示、微纳成像及光传感等领域。

关键词

同质集成 ; 量子阱二极管 ; 可见光互联 ; 发光探测共存现象