2000年 第2卷 第5期
我国MBE GaAs基材料如何从实验室走向产业化
中国科学院半导体所，北京 100083
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摘要
以分子束外延（MBE）GaAs基微结构材料为基础制作的HEMT，PHEMT等器件在信息产业中已广泛应用，在国外并已进入产业化。20世纪80年代中期以来，中科院半体所研制的MBE GaAs基材料，已被成功地用于制备出一系列新型半导体器件；其HEMT，PHEMT微结构材料的实用化性能指标已经基本达到国际一流产品的水平；并对MBE GaAs材料如何走向产业化进行了探讨。
关键词
分子束外延 ; GaAs基微结构材料 ; PHEMT ; 高技术产业
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