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“先进半导体材料及辅助材料”编写组
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第5期 页码 10-19 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.05.002
目前，以SiC、GaN为代表的第三代半导体材料快速发展，我国亟需抓住战略机遇期，实现先进半导体材料、辅助材料的自主可控，保障相关工业体系安全。本文在分析全球半导体材料及辅助材料研发与产业发展现状的基础上，寻找差距，结合我国现实情况，提出了构建半导体材料及辅助材料体系化发展、上下游协同发展和可持续发展的发展思路，制定了面向2025年和2035年的发展目标为推动我国先进半导体材料及辅助材料产业发展，提出了建设集成电路关键材料及装备自主可控工程，SiC和GaN半导体材料、辅助材料、工艺及装备验证平台，先进半导体材料在第五代移动通信技术、能源互联网及新能源汽车领域的应用示范工程，并对如何开展三项工程进行了需求分析，设置了具体的工程目标和工程任务。最后，为推动半导体产业的创新发展，从坚持政策推动，企业和机构主导，整合国内优势资源；把握“超越摩尔”的历史机遇，布局下一代集成电路技术；构建创新链，进行创新生态建设等方面提出了对策建议
邬贺铨
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第8期 页码 69-75
文章首先回顾了第一代（模拟）移动通信和第二代（数字）移动通信技术的演进，预测今后10年是移动通信大发展时期，它的用户将超过固定电话用户数。文章在简介即将投入应用的第二代半移动通信技术之后，引出面向宽带多媒体应用的第三代移动通信（3GM），重点介绍了被选作3GM国际无线传输技术标准的几种主流方案及其关键技术，特别对其中由我国提交的TD-SCDMA方案的技术特点作了说明，最后展望了网络如何从第二代移动通信过渡到第三代移动通信及3GM核心网发展趋势。
李圭白
《中国工程科学》 2012年 第14卷 第7期 页码 20-23
回顾了城市饮用水净水技术发展的历史足迹，即20世纪初的第一代工艺——常规工艺和20世纪70年代的第二代工艺——深度处理工艺，并提出了第三代工艺——以超滤为核心技术的组合工艺；提出了城市水源突发污染的技术对策——针对污染物投加多种药剂；介绍了30年来由哈尔滨工业大学引领开发的新的饮用水净化技术
关键词： 城市用水的安全性 第三代净水工艺 超滤 水源突发污染及其对策 高锰酸钾及其复合剂
关于中国桥梁技术发展的思考 Review
周绪红, 张喜刚
《工程（英文）》 2019年 第5卷 第6期 页码 1120-1130 doi: 10.1016/j.eng.2019.10.001
侯吉伦,李超,王桂兴,张晓彦,孙朝徽,王玉芬,姜秀凤,刘海金
《中国工程科学》 2014年 第16卷 第9期 页码 26-32
通过对连续两代减数分裂雌核发育牙鲆（Paralichthys olivaceus）再度诱导减数分裂雌核发育，首次获得三个连续三代减数分裂雌核发育二倍体家系选用重组率高、中、低的30 对微卫星引物，分析该三个家系的遗传构成。30 个微卫星位点在三个家系中扩增到的等位基因数分别为35、38、37，平均等位基因数为1.17、1.27、1.23，平均观测杂合度（Ho）分别为0.146 7、0.255 6、0.205三个家系内个体间的平均遗传相似度为0.991 3、0.991 8、0.983 8，母本与子代之间的平均遗传相似度为0.994 6、0.996 8、0.992 3，三个家系间的遗传相似度分别为0.971结果表明，连续三代诱导雌核发育能进一步提高个体的纯合度、个体间以及家系间的平均遗传相似度，是快速建立鱼类近交系的良好方法。
张果虎,肖清华,马飞
《中国工程科学》 2023年 第25卷 第1期 页码 68-78 doi: 10.15302/J-SSCAE-2023.01.002
硅片是半导体关键的基础材料，我国半导体硅片对外依存度较高，增强硅片的自主保障能力，对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8 in、12 in硅片，分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状，研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势，重点分析了我国半导体硅片的发展现状，指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇，同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战，在此基础上，从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议，以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。
闻瑞梅,杜国栋
《中国工程科学》 2001年 第3卷 第2期 页码 71-78
针对半导体材料、器件生产工艺中的废气和废水的治理，介绍了三种不同的方法和相关设备。①利用碘盐、铜盐和锰盐以及多级逆向喷淋的设备对实验室MOVPE工艺尾气及砷化镓材料制备中砷烷、磷烷污染的治理。②生产规模的半导体材料砷化镓，磷化姻，重掺砷硅单晶材料及器件的工艺中，腐蚀间排放的废气中砷、磷、硫、氟、氯及氮氧化物酸根离子的治理。③治理半导体工艺废水中砷、总磷、各种酸及重金属等的污染。用碳酸钙中和后，加铁盐经絮凝沉降一体化装置治理废水。经治理后的废气、废水经环保部门检测均达到国家排放标准[1-3]。
刘虹,陈良惠
《中国工程科学》 2011年 第13卷 第6期 页码 39-43
在详细分析国内外半导体照明产业发展现状和趋势的基础上，提出了我国发展半导体照明的技术路线，给出了不同发展情景下，我国中长期半导体照明节能潜力的预测结果，并对我国半导体照明发展战略提出了若干政策建议。
基于半导体纳米晶体的神经突触器件 Review
步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5
《信息与电子工程前沿（英文）》 2022年 第23卷 第11期 页码 1579-1601 doi: 10.1631/FITEE.2100551
关键词： 半导体纳米晶体；突触器件；神经形态计算
韦欣,李明,李健,汪超,李川川
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第3期 页码 21-28 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.004
半导体激光器产业体量大、辐射和带动能力强，作为激光器工业的基础，被广泛应用在光通信、光信息处理、新型加工、激光显示、生物和医学传感等工业、为了适应逐渐扩大的应用范围，满足不同应用场景所提出的新要求，半导体激光器领域近年来通过学科交叉渗透不断地引入了各种新机制、新概念以及新结构，大大优化了其波长覆盖范围、光束质量、器件体积和功耗、调制速度以及输出功率本文通过对比几种新型激光器的物理内涵、结构设计及制备手段，介绍了几种应用前景广泛且发展势头强劲的半导体激光器。结合我国相关产业的发展现状指出，半导体激光器产业的发展仍然应与应用紧密结合，通过市场和强大的系统开发能力闭环优化器件性能，提升核心技术，通过交叉学科融通不断引入新概念、新结构和新工艺。
闫治涛,刘建中,邱金平, 金丽华
《中国工程科学》 2009年 第11卷 第2期 页码 33-35
介绍了第三沉降带的分布，监测得出的大量人工裂缝方向数据及由人工裂缝方向数据统计得出的 最大水平主应力方向。结果表明，第三沉降带由北向南绵延１ ５００ km，最大水平主应力方向大体稳定，分布在 ５５°～７５° NE范围，多为６５° NE。由监测结果可以判断，第三沉降带的构造应力方向是南亚板块及菲律宾板块 共同作用的结果。
关键词： 微地震法人工裂缝监测 第三沉降带 最大水平主应力方向 压裂施工
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