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期刊论文 158

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2005 5

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关键词

多晶硅 3

TRIP钢 2

扬矿管 2

深海采矿 2

2035 1

2型糖尿病 1

4比特可重构天线阵列 1

60 GHz；天线阵列；线极化；圆极化；毫米波 1

8英寸 1

AD9954 1

AT89S52芯片 1

CO₂ 加氢 1

DS1642芯片 1

DVD 1

HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀 1

Halbach阵列 1

K 助剂 1

MIMO阵列；5G手机；去耦方法 1

Mn 助剂 1

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检索范围：

排序：展示方式：

采用硅光电倍增管阵列扩展探测实现非线性荧光显微技术中散射光子探测信号的增强 Research Articles

施汝恒1,靳程1,刘驰1,孔令杰1,2

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年第22卷第10期页码 1289-1298 doi: 10.1631/FITEE.2000410

摘要：本文提出一种将硅光电倍增管阵列放置在物镜前孔径处以增强非线性显微镜对散射光子探测能力的扩展探测方案。

关键词：扩展背向探测；增强探测；非线性荧光显微镜；硅光电倍增管阵列

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硅基石墨烯调制器 Special Feature on Optoelectronic Devices and Inte

Hao-wen SHU, Ming JIN, Yuan-sheng TAO, Xing-jun WANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年第20卷第4期页码 458-471 doi: 10.1631/FITEE.1800407

摘要：为满足下一代光互联技术高带宽、低功耗的需求，基于金属互补氧化物半导体（CMOS）工艺的硅基光电子技术有望实现光电器件大规模、高密度集成，在高速率数据传输方面带来新突破。硅基调制器是硅基光电子学的核心器件之一，然而传统基于等离子色散效应的硅基耗尽式调制器在带宽、尺寸和功耗方面存在一定限制，影响传输系统整体性能。为解决该问题，石墨烯被引入硅基光电子器件的材料体系，其优异的电学传输特性和光电特性有效提升传统硅基光调制器单元器件性能。我们总结了基于热光、电光、等离子体等硅基石墨烯调制器的最新进展，其出色性能使硅基石墨烯调制器有望成为下一代片上及片外光互连技术的候选方案。

关键词：硅基光电子学；石墨烯；光调制器

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一类新的光电神经元模型及其动力学 Research Articles

刘勇1,徐万江1,马军2,3,Faris ALZAHRANI4,Aatef HOBINY4

《信息与电子工程前沿（英文）》 2020年第21卷第9期页码 1387-1396 doi: 10.1631/FITEE.1900606

摘要：提出一个光电神经元模型以表达其非线性编码过程和外界光信号驱动神经元的电活动响应。在该模型中，使用一个光电管激活一个简单的FitzHugh-Nagumo（FHN）神经元电路，并施加外界光信号（光照）于光电管产生时变电流源或电压源以驱动神经元电路。这种光电管耦合的神经元电路能探测和感知外界光信号，其作用类似于人工电子眼。通过分岔详细分析神经元模态迁移和放电斑图特征。通过调制神经元电路的光电流，神经元膜电位序列可呈现静息态、尖峰放电、簇放电和混沌特征。这些结果可为进一步研究神经动力学和神经电路提供参考。

关键词：光电神经元；神经元模型；分岔；簇放电；光电管

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在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article

Hadi JAHANIRAD

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084

摘要：现场可编程门阵列（FPGA）器件由于其低设计成本和可重构性，在电子系统中得到广泛应用。在手持电子系统等电池受限的应用中，低功耗FGPA的需求很大。

关键词：现场可编程门阵列（FPGA）；泄漏功率；电源门控；晶体管级电路设计

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利用三元合金保护和催化的硅光阳极与廉价硅太阳能电池相结合实现12.0%的太阳能制氢效率 Article

何凌云, 洪欣, 王亦清, 邢众航, 耿嘉峰, 郭鹏慧, 苏进展, 沈少华

《工程（英文）》 2023年第25卷第6期页码 128-137 doi: 10.1016/j.eng.2022.03.023

摘要：

n型硅（n-Si）表面在水溶液中容易被氧化和钝化，导致其在光电化学（PEC）分解水的析氧反应（OER）动力学缓慢。RHE电位时具有较高的光电流密度（33.1 mA∙cm^-2），显著优于Ni/p+n-Si光阳极。令人鼓舞的是，通过将Ni0.9Fe0.05Co0.05/p+n-Si光阳极连接到廉价的硅太阳能电池上，所制备的集成光伏/PEC（PV/PEC）器件实现了无偏压下高达12.0%的太阳制氢能量转换效率。

关键词： n-Si 光阳极水分解光伏/光电化学器件

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量子阱光电子器件的发展与中国光电子器件产业的形成

陈良惠

《中国工程科学》 1999年第1卷第3期页码 75-78

摘要：

光电子技术发展推动着信息时代的变革，作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业--光电子产业。

量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。

目前，中国光电子产业已具雏形，已有多家光通信器件制造公司形成年产亿元以上产值。而以光存储、光显示为代表的非通信光电子器件发展势头极其迅猛。

关键词：量子阱半导体激光器光电子 DVD

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用于5.8 GHz WBAN应用的方向图可重构天线阵列

杨凌升,王斌,李雅洁

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第9期页码 1357-1365 doi: 10.1631/FITEE.2200542

摘要：本文提出一种适用于5.8 GHz WBAN应用的方向图可重构天线阵列。天线阵列由辐射组件和控制网络组件组成。通过控制集成在可控网络中的PIN二极管，可以获得与人体表面相切的全向辐射图和与人体表面垂直的定向辐射图。我们测量了阵列安装在人体或前臂假体上时的阻抗带宽、辐射模式和增益，实验结果与仿真结果一致。同时仿真了两种辐射模式下的电磁波吸收比值（SAR）和波束切换能力，以确保该阵列的实用性。

关键词：无线体域网方向图可重构 PIN二极管控制网络比吸收率

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硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年第2卷第1期页码 7-17

摘要：

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。

关键词：硅片硅外延片锗硅绝缘体上硅杂质行为缺陷控制表面质量

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电子级多晶硅的生产工艺

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第12期页码 34-39

摘要：

就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较介绍了用三氣氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。

关键词：多晶硅三氣氢硅法硅烷法流程生产

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光电平台和技术

Wen-hua SHI, Wei-ming LV, Tian-yu SUN, Bao-shun ZHANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年第20卷第4期页码 439-457 doi: 10.1631/FITEE.1800451

摘要：

光电技术是一种由光子技术和电子技术相结合形成的新技术。光子技术会引起一场取代电子技术的工业革命，因为它将对工业和社会产生更深远的影响。我们回顾了光电器件和集成技术的发展。我们比较和分析了光电技术平台的发展和特点，总结了关键的制造技术，介绍了几种具有代表性的光电设备，包括柔性设备，并重点介绍了需要实现的关键突破技术。通过对光电子技术发展的全面回顾，中国应该抓住机遇，转变光电子技术产业。借鉴国外先进光电平台和技术的经验，加快中国工业人才的积累和储备，重视基础技术的积累，建立国家光电技术平台，大大提高国内水平。

关键词：光电技术，光电平台，工艺技术，发展与挑战，

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光电子晶体与全固态激光器及其应用——光电子技术发展的一个重大方向

许祖彦

《中国工程科学》 1999年第1卷第2期页码 72-77

摘要：

光电子时代是微电子技术、激光技术、材料科学等高速发展、综合集成的产物。20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破，导致全固态激光器的实用化，这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献，如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、

关键词：光电子晶体全固态激光器材料加工光存储激光显示激光核聚变

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利用对称结构和结合差分进化的文化算法检测阵列中的故障传感器 Article

Shafqat Ullah KHAN,Ijaz Mansoor QURESHI,Fawad ZAMAN,Wasim KHAN

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第2期页码 235-245 doi: 10.1631/FITEE.1500315

摘要：本文解决了从N个传感器组成的线性阵列中检测完全或部分缺陷传感器的问题。本文首先提出了一种线性阵列的对称结构，其次，基于结合差分进化的文化算法，建立了一种混合技术。

关键词：文化算法；差分进化；线性对称传感器阵列

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兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第6期页码 33-35

摘要：

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736 t/a和1304 t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80 t/a，所以在中国建设一座年产1000 t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。

关键词：多晶硅半导体工业规模生产