2000年 第2卷 第1期
硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究
北京有色金属研究总院，北京 100088
下一篇 上一篇
摘要
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量，提高晶体完整性，降低表面污染和采用缺陷工程的方法改善材料质量显得尤为重要。文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。
图片
图1
图2
图3
图4
图5
图6
图7
图8
图9
图10
参考文献
[ 1 ] TaurY , MilYJ , FrankDJ , etal.IBMJournalofresearchanddevelopment, 1995 , 39 (1/ 2 )
[ 2 ] ThenationaltechnologyroadmapforsemiconductorseditedbyISA .1994
[ 3 ] DupretF , VanderBogaertN , AssakerR .Proc.8thIntern .Sym .SiliconMater.Sci.Technol. (edsHuffHR , TsuyaH , GuseleU) , 1998, PV98- 1, 396
[ 4 ] SeidlAMiillerG , DornbergerE , etal.Proc 8thIn ter.Sym .SiliconMater .Sci.Technol. (eds.HuffHR , TsuyaH , GuseleU) , 1998, PV98- 1, 417
[ 5 ] Chandrasekhar, KimKM .Proc 8thInter.Sym .Sili conMater .Sci.Technol. (edsHuffHR , TsuyaH , GuseleU) , 1998, PV98- 1, 411
[ 6 ] TuH .RareMetals, tobepublished
[ 7 ] YipVFS , WilcoxWR .J .Cryst.Growth , 1976 , 36 :2 9
[ 8 ] 屠海令 .关于cusp磁场对大直径硅单晶生长影响的研究报告 [R] , 1998
[ 9 ] WatanabeM , EguchiM , Kakimoto .J.Cryst.Growth , 1995 , 151:2 85
[10] RozgonyiGA .SemiconductorSilicon , PV77- 2 (edsHuffHR , SirtlE) , 1977, (2 ) :50 4
[11] HasebeM , TakcokaY , ShinoyamaS , etal.Jpn .J.Appl.Phys, 2 6 (1989) L1999
[12] GallP , FillardJP , Bonnafa .Intern .Conf., Defectcontrolinsemicond [C] . (edsYokohama, Suminok) , 1990 , 2 55
[13] SadamitsuS , UmenoS , KoikeY , etal.Jpn .J.Ap pl.Phys, 1993 , 32 :3675
[14] YamagishiH , FusegawaI, Fujimaki, etal.Semi cond .Sci.Technol, 1992 , 7:A135
[15] RyntaJ , TankaT , Shimanuki, etal.Jpn .J .Appl.Phys, 1990 , 2 9:L1947
[16] HouraiM , NagashimaT , KajitaE , etal.J.Elec trochem .Soc, 1995 , 142 :3193
[17] NakamuraK , SaishojiT , IkedaT , etal.J.Cryst.Growth , 1997, 180 :61
[18] VoronkovVV .J.Cryst.Growth , 1982 , 59:62 5
[19] ParkJG , UshioS , TakenoH , etal.ECSPV4 - 33 , 1994, 153
[20] SinnoT , BrownRA .SemiconductorSilicon , 1994, 62 5
[21] BuczkowskiA .SOITechnology&Devices. (ed .Bai leyWE) .ECS , PV92 - 13 , 1992 , 2 97
[22] FalsterR , GambroD , OlmoM , etal.Proc.MRS .Symp ., 1998, 510 :2 7
[23] LagowskiJ .EdelmanP , Kontkiewicz , etal.Appl.Phys.Lett, 1993 , 63 :30 4 3
[24] ShimuraF , OkwiT , KusamaT , etal.J.Appl.Phys, 1990 , 67:7168
[25] MishraK , BananM , MoodyJ, etal.Electrochem .Soc.Meeting , 1994, 94:131
[26] 屠海令 , 朱悟新 , 王敬 , 等 .半导体学报 , 1990 , 2 0 :2 37
[27] IstratovAA , FlinkC , HieslmairHetal.5thIUMRSIntern .Conf.onAdvancedMater.Beijing:1999
[28] IstratovAA , HedemannH , SeibtM , etal.J.Elec trochem .Soc.1998, 145 :3889
[29] EnnenH .Appl.Phys.Lett., 1985 , 46 :381
[30] AgarwalA , ForesiJS , GiovaneLM , etal.DefectsinSiliconⅢ , PV99- 1, 1999, 2 15
[31] 屠海令 .稀有金属 , 1996 , 2 0 :39 链接1
[32] HoshiK .ECSExtendedAbstracts, 1980 , 811
[33] 屠海令 .全国半导体硅材料会议文集 , 1986
[34] TanTY , GardnerEE , TiceWK , etal.Appl.Phys.Lett, 1977, 30 :175
[35] BaeKM , RozgonyiGA .ExtendedAbstractsofECS191stMeeting , 1997, (1) :475
[36] RozgonyiGA .CrystallineDefects&Contamination , PV97- 2 2 , 1997, 153
[37] 王敬 , 屠海令 , 刘安生 , 等 .中国有色金属学报 , 1998, 8, 62 6 链接1
[38] StavolaM .DefectsinSiliconⅢ , PV99- 1, 1999, (1) :2 2 7
[39] WeberJ, LeitchWR .DefectsinSiliconⅢ , PV99-1, 1999, 2 4 2
[40] YoungDR , FanRX , MaXX .J.Appl.Phys., 1995 , 77:943
[41] BorghesiA , PivacM , StellaA , etal.Appl.Phys.Lett., 1991, 58:2 657
[42] PaulDJ.ThinSolidFilms, 1998, 32 1:172
[43] LiuJP , KongMY , HuangDD , etal.5thIUMRSInten .Conf.onAdvancedMater ., Beijing , 1999
[44] SzwedaR .Ⅲ VReview , 1998, 11:16
[45] vanderWagtJPA .IEDM 96 , 42 5
[46] Science , 1998, 2 81:14
[47] WangJ , Tu , H . 5thIUMRSIntern .Confer.AdvancedMater, 1999
[48] MeurisM , etal.SolidStateTech ., 1995 , 38:10 9
[49] MartinAR .MertensPW , Opde, GermanPatent:DE 19631363
[50] HuffHR .ECSExtendedAbstractsPV 93 - 943 , 1993
京公网安备 11010502051620号
