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期刊论文 418

年份

2024 3

2023 36

2022 30

2021 46

2020 22

2019 35

2018 31

2017 32

2016 25

2015 6

2014 5

2013 3

2012 18

2011 4

2010 5

2009 8

2008 12

2007 24

2006 9

2005 10

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关键词

医院中子照射器 5

仿真 3

医院中子照射器I型堆 3

航天器 3

中子通量密度 2

主动控制 2

合成生物学 2

并联机构 2

微反应器 2

生物传感器 2

10kV高压电力电缆 1

2 Mb/s高速信令 1

3-DR-IUD 1

3D打印 1

60 GHz；封装天线；共面波导馈电环形谐振器；玻璃集成无源器件；超表面天线；小型化天线 1

9 + 2结构 1

AAC 1

ACE格式 1

AD9954 1

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检索范围：

排序：展示方式：

氧化锆量子点用于非易失性电阻式随机存取存储器 Regular Papers

Xiang-lei HE, Rui-jie TANG, Feng YANG, Mayameen S. KADHIM, Jie-xin WANG, Yuan PU, Dan WANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年第20卷第12期页码 1698-1705 doi: 10.1631/FITEE.1900363

摘要：提出一种利用氧化锆量子点作为有源层的非易失性电阻式随机存取器。通过旋涂法制备Ag(上)/ZrO2(有源层)/Ti(下)典型的三明治结构存储器件。该优化器件具有较高高/低电阻差（约10 Ω），良好循环性能（循环数大于100），较低转化电流（约1 μA）。通过原子力显微镜和扫描电子显微镜观察ZrO2有源层表面形貌和堆积状态。分析了Ag/ZrO2/Ti器件导电机理，并研究银离子导电丝和氧空位对电阻开关记忆行为的影响。该研究为忆阻器材料开发提供了一种简单方案。

关键词：氧化锆量子点；电阻开关；存储器件；旋涂法

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基于非易失存储器的细粒度检查点 Article

文喆张,凯卢,Mikel LUJAN,小平王,旭周

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第2期页码 220-234 doi: 10.1631/FITEE.1500352

摘要：新型非易失存储器提供了高访问速度，大容量，字节访问粒度，以及非易失等特性。这些特性将为容错带来新的机遇。本文提出了基于非易失存储器的细粒度检查点。我们在现有操作系统内核的存储管理模块中加入了针对非易失存储器的管理，同时提供了一个非易失堆以供上层应用进行快速的内存分配和对相关对象（或数据结构）的检查点备份。和传统的基于页面粒度的检查点工作相比，我们的机制可以有效的减少检查点拷贝的数据量，从而更好的利用存储器带宽，提升性能。

关键词：非易失存储器；字节访问粒度；非易失堆；细粒度检查点

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基于元胞自动机的电阻存储器多比特固定型故障诊断 Research Article

Sutapa SARKAR1, Biplab Kumar SIKDAR2, Mousumi SAHA3

《信息与电子工程前沿（英文）》 2022年第23卷第7期页码 1110-1126 doi: 10.1631/FITEE.2100255

摘要：本文提出一种用于可变电阻式存储器（ReRAM）、基于组的动态固定型故障诊断方案。传统的静态随机存取存储器、动态随机存取存储器、NAND和NOR闪存受可扩展性、功率、封装密度等限制。可变电阻式存储器这类下一代存储器被认为具有多种优势，如高封装密度、非易失性、可扩展性和低功耗，但单元可靠性一直是个问题。不可靠的内存操作是由于大量使用写入或内存密集型工作负载而导致的永久性固定型故障。

关键词：电阻存储器；电池可靠性；块级故障诊断；单长循环单吸引子元胞自动机；单长循环双吸引子元胞自动机；单长循环多吸引子元胞自动机

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基于非易失存储器的版本化进程细粒度容错 None

Wen-zhe ZHANG, Kai LU, Xiao-ping WANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2018年第19卷第2期页码 192-205 doi: 10.1631/FITEE.1601477

摘要：新型非易失存储器（NVRAM）提供的字节粒度持久且非易失新特性，将有力支持新型容错技术的设计。

关键词：非易失存储器；字节粒度持久；版本化进程；版本号

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低成本SoC平台MPEG-4 AAC解码器优化策略

高谷刚,时龙兴,浦汉来,周凡

《中国工程科学》 2007年第9卷第10期页码 60-64

摘要：

提出了在低成本SoC平台的软件优化策略，包括基于统计分析的浮点到定点转换策略和面向性能优化的片上存储器容量定制策略，在此基础上针对计算密集性应用提出了完整的优化方法

关键词：软件优化 SoC 浮点到定点转换片上存储器 AAC

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一种应用于带有嵌入式存储器的FPGA的BCH纠错方案 Research Articles

刘洋1,李杰1,王瀚1,张德彪1,冯凯强1,李金强2

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年第22卷第8期页码 1127-1139 doi: 10.1631/FITEE.2000323

摘要：鉴于存储介质上的数据存在位翻转的可能，提出一种模块化的、高速并行的Bose–Chaudhuri–Hocquenghem（BCH）纠错方案，该方案结合了逻辑实现和查找表。所提方案适用于具有片上嵌入式存储器的现场可编程门阵列的数据纠错。详细阐述了系统各部分的优化方法，并分析了该方案在BCH码信息位长度为1024位、码长为1068位且可纠正4位错误情况下的实现过程。

关键词：纠错算法；Bose–Chaudhuri–Hocquenghem（BCH）码；现场可编程门阵列（FPGA）；闪存

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一个针对多种问题的磁盘故障预测模型 Research Article

张晓1,2,3,黎梦钰2,4,Michael NGULUBE1,2,陈泳豪1,2,赵一平1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第7期页码 980-993 doi: 10.1631/FITEE.2200496

摘要：基于日志结构合并（LSM）树的键值（KV）存储系统可优化随机写入性能，并提高读取性能，因此被广泛应用于电子商务、在线分析和实时通信等现代数据存储系统。在NVMe SSD和非易失性存储器（NVM）上，MyWAL可以将数据写入性能提高10%–30%。此外，YCSB的结果表明，与SpanDB相比，写入延迟降低了50%。

关键词：键值（KV）存储；日志结构合并（LSM）树；非易失性存储器（NVM）；NVMe SSD；写前日志（WAL）

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大力测量技术的新进展——附着式超轻型大力传感器

沈久珩

《中国工程科学》 2001年第3卷第10期页码 22-27

摘要：

大力传感器是现代重型装备的高科技电子信息器件。文章围绕重型大力传感器的微型化问题论述了重型装备大力测量的意义、特征及发展，讨论了大力分流测量的物理模型，介绍了作者发明的超轻型附着式大力传感器及其工程应用。

关键词：重型装备大力传感器支承式附着式电阻应变计分流测量

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卫星物联网：挑战、方案和发展趋势 Review

荀远阳,李思琦,张飞宇,洪岩,许可,陈立刚,刘松,李斌

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第7期页码 945-963 doi: 10.1631/FITEE.2200552

摘要：由于城市化和工业化的快速建设所带来的气体污染，气体传感器受到广泛关注。基于半导体金属氧化物（SMO）的气体传感器具有响应高、重复性好、稳定性好、性价比高等优点，已成为气体传感器领域极其重要的元器件。本文介绍了一维、二维和三维结构的SMO传感器的形貌和性能，讨论了各种形貌对气体传感器性能（响应和稳定性）的影响，为结构稳定、性能优异的气敏材料的合成提供了新的思路。

关键词：气体传感器；化学式电阻器；模板法；纳米结构；维度

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针对I/O密集型应用的新型非易失存储系统 None

Wen-bing HAN, Xiao-gang CHEN, Shun-fen LI, Ge-zi LI, Zhi-tang SONG, Da-gang LI, Shi-yan CHEN

《信息与电子工程前沿（英文）》 2018年第19卷第10期页码 1291-1302 doi: 10.1631/FITEE.1700061

摘要：新型存储技术——如相变存储器（phase change memory, PCM——的兴起，为I/O密集型应用的高性能存储提供了新机遇。然而传统软件栈和硬件架构需要重构优化以提升I/O访问效率。此外，存储内计算技术已经成为当前研究热点，能有效减少I/O请求数量。提出一种基于相变存储器的新型存储系统，包括支持存储内计算的文件系统（in-storage processing enabled file system, ISPFS）和可配置并行计算的存储内计算引擎。一方面，ISPFS充分利用新型非易失存储器（non-volatile memory, NVM）的特性，减少软件冗余和数据拷贝，提供低延迟、高性能的随机访问。对于I/O密集型应用，该存储内计算方案比传统软件方案减少97%的I/O请求，效率提升19倍。

关键词：存储内计算；文件系统；非易失存储；存储系统；I/O密集型应用

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光电子晶体与全固态激光器及其应用——光电子技术发展的一个重大方向

许祖彦

《中国工程科学》 1999年第1卷第2期页码 72-77

摘要： 20世纪90年代光电子晶体的长足进步和大功率半导体激光技术的突破，导致全固态激光器的实用化，这将促使光电子技术在21世纪前50年对更多的国家支柱产业作出重大贡献，如先进制造业的材料加工、信息业的光存储、

关键词：光电子晶体全固态激光器材料加工光存储激光显示激光核聚变

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工程化DNA材料构建DNA活字系统实现可持续的数据存储 Article

巩子祎, 宋理富, 裴广胜, 董雨菲, 李炳志, 元英进

《工程（英文）》 2023年第29卷第10期页码 130-136 doi: 10.1016/j.eng.2022.05.023

摘要：

DNA分子作为一种具有潜力的数据存储绿色材料，具有密度高和保存期长的优势。然而，目前DNA数据存储的数据写入依赖于DNA从头合成，写入成本高昂，且产生有害物，限制了其实际应用。在本研究中，我们开发了一种DNA活字存储系统，该系统可以利用由细胞工厂预生产的DNA活字片段进行数据写入。通过DNA活字片段的反复使用和生物组装，该系统在降低写入成本方面的潜力非常突出，为经济和可持续的DNA数据存储技术开辟了一条新颖路线。

关键词：合成生物学 DNA信息存储 DNA活字存储系统经济性DNA数据存储

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面向E级高性能计算存储墙问题研究 Article

Wei HU,Guang-ming LIU,Qiong LI,Yan-huang JIANG,Gui-lin CAI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2016年第17卷第11期页码 1154-1175 doi: 10.1631/FITEE.1601336

摘要：为进一步量化I/O性能瓶颈，分析其对大规模并行应用可扩展性的重要影响，本文在定义和分析存储受限加速比的基础上，第一次从并行应用可扩展性的角度提出"存储墙"的定义，量化和讨论了"存储墙"的存在性，并基于存储墙特性对现有高性能计算系统结构提出了新的分类方法和可扩展性分析方法通过基于"天河1A"超级计算机的实验和基于"美洲虎"超级计算机的案例分析，本文验证了存储墙的存在性并分析了其变化特性。这些实验和分析结果对缓解和消除未来高性能计算机的存储墙瓶颈，实现平衡的软硬件设计具有重要指导意义。

关键词：存储受限加速比；存储墙；高性能计算；E级计算

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云存储中基于属性加密的通用型用户撤销系统 None

Genlang CHEN, Zhiqian XU, Hai JIANG, Kuan-ching LI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2018年第19卷第11期页码 1362-1384 doi: 10.1631/FITEE.1800405

摘要：云存储是面向企业和个人用户的服务模型，包括付费和免费两种方式。基于云存储服务模型，用户通过互联网随时随地享受云存储提供的存储服务和管理功能。由于大多数云存储由第三方服务商提供，因此在数据保护和访问控制方面，云存储提供商和共享多租户环境下可信任性面临极大挑战。提出两种具有隐私保护功能的基于属性加密的通用型用户撤销系统：通过密文重加密（user revocation via ciphertext re-encryption，UR-CRE）实现的用户撤销系统和通过云存储提供商

关键词：基于属性的加密；通用型用户撤销；用户隐私；云存储；访问控制

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电沉积Mo和Mo-Co合金纳米线用于互联电阻的电阻率改性 Article

Jun Hwan Moon, Taesoon Kim, Youngmin Lee, Seunghyun Kim, Yanghee Kim, Jae-Pyoung Ahn, Jungwoo Choi, Hyuck Mo Lee, Young Keun Kim

《工程（英文）》 2024年第32卷第1期页码 128-138 doi: 10.1016/j.eng.2023.07.017

摘要：

Achieving historically anticipated improvement in the performance of integrated circuits is challenging, due to the increasing cost and complexity of the required technologies with each new generation. To overcome this limitation, the exploration and development of novel interconnect materials and processes are highly desirable in the microelectronics field. Molybdenum (Mo) is attracting attention as an advanced interconnect material due to its small resistivity size effect and high cohesive energy; however, effective processing methods for such materials have not been widely investigated. Here, we investigate the electrochemical behavior of ions in the confined nanopores that affect the electrical properties and microstructures of nanoscale Mo and Mo–Co alloys prepared via template-assisted electrodeposition. Additives in an electrolyte allow the deposition of extremely pure metal materials, due to their interaction with metal ions and nanopores. In this study, boric acid and tetrabutylammonium bisulfate (TBA) were added to an acetate bath to inhibit the hydrogen evolution reaction. TBA accelerated the reduction of Mo at the surface by inducing surface conduction on the nanopores. Metallic Mo nanowires with a 130 nm diameter synthesized through high-aspect-ratio nanopore engineering exhibited a resistivity of (63.0 ± 17.9) μΩ·cm. We also evaluated the resistivities of Mo–Co alloy nanowires at various compositions toward replacing irreducible conventional barrier/liner layers. An intermetallic compound formed at an Mo composition of 28.6 at%, the resistivity of the Mo–Co nanowire was (58.0 ± 10.6) μΩ·cm, indicating its superior electrical and adhesive properties in comparison with those of conventional barriers such as TaN and TiN. Furthermore, density functional theory and non-equilibrium Green’s function calculations confirmed that the vertical resistance of the via structure constructed from Mo-based materials was 21% lower than that of a conventional Cu/Ta/TaN structure.

关键词： Molybdenum Molybdenum–cobalt Interconnect Microstructure Electrodeposition Density functional theory