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期刊论文 3

年份

2021 2

2005 1

关键词

(GaxIn1−x)2O3薄膜；带隙可调谐；磁控溅射 1

HeNe激光器 1

位移测量 1

双折射 1

拓扑绝缘体；Sb2Te3；光纤激光；被动调Q激光；波长可调谐激光 1

竞争 1

纵模 1

腔调谐 1

频率分裂 1

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激光器纳米测尺原理

张书练

《中国工程科学》 2005年 第7卷 第3期   页码 27-34

摘要：

以笔者发现的激光频率分裂、模竞争、腔调谐等双折射双频激光物理效应，研制成激光器纳米测尺。

关键词： 位移测量     HeNe激光器     竞争     频率分裂     腔调谐     纵模     双折射    

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基于拓扑绝缘体Sb2Te3的52 nm宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器 Research

王涛1,俞强1,2,郭琨1,史鑫尧2,阚雪芬3,徐轶君4,5,吴坚1,4,张凯2,周朴1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年 第22卷 第3期   页码 287-436 doi: 10.1631/FITEE.2000577

摘要： 在本研究中，首先将拓扑绝缘体家族中的二维材料Sb2Te3可饱和吸收体应用在宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器中。基于此可饱和吸收体，在掺镱光纤环形腔中获得稳定的波长可调谐被动调Q脉冲，其中心波长可从1040.89 nm连续调节到1092.85 nm。实验结果表明，Sb2Te3具有宽谱可饱和吸收特性，这个波长可调谐脉冲激光可以为实际应用提供一个方便简单的光源。

关键词： 拓扑绝缘体；Sb2Te3；光纤激光；被动调Q激光；波长可调谐激光    

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磁控溅射法生长的带隙可调谐(GaxIn1−x)2O3 Research Articles

张法碧1,孙巾寓1,李海鸥1,周娟1,王荣1,孙堂友1,傅涛1,肖功利1,李琦1,刘兴鹏1,张秀云1,郭道友2,王相虎3,秦祖军1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年 第22卷 第10期   页码 1370-1378 doi: 10.1631/FITEE.2000330

摘要： 采用磁控溅射技术和热退火技术在(0001)蓝宝石衬底上制备了多组分氧化物(GaxIn1−x)2O3薄膜，实现可调带隙。详细研究了三元化合物(GaxIn1−x)2O3在整个组成范围内的光学性质和能带结构演化。X射线衍射谱表明，Ga含量在0.11至0.55之间的(GaxIn1−x)2O3薄膜既有立方结构，也有单斜结构，而Ga含量高于0.74的(GaxIn1−x)2O3薄膜只有单斜结构。在可见光范围，所有薄膜透光率均高于86%，吸收边清晰，条纹清晰。此外，随着Ga含量增加，紫外吸收边出现380至250 nm的蓝移，表明禁带能从3.61 eV增加至4.64 eV。实验结果为透明导电化合物半导体(GaxIn1−x)2O3薄膜在光电和光伏行业的应用，特别是在显示器、发光二极管和太阳能电池的应用奠定了基础。

关键词： (GaxIn1−x)2O3薄膜；带隙可调谐；磁控溅射    

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激光器纳米测尺原理

张书练

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基于拓扑绝缘体Sb2Te3的52 nm宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器

王涛1,俞强1,2,郭琨1,史鑫尧2,阚雪芬3,徐轶君4,5,吴坚1,4,张凯2,周朴1

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磁控溅射法生长的带隙可调谐(GaxIn1−x)2O3

张法碧1,孙巾寓1,李海鸥1,周娟1,王荣1,孙堂友1,傅涛1,肖功利1,李琦1,刘兴鹏1,张秀云1,郭道友2,王相虎3,秦祖军1

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