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2009 1

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关键词

CMOS；跨导提升技术；低噪声放大器；变压器；共栅级 1

优化 1

性能方程 1

摩尔定律；高效节能技术；神经网络加速器；超CMOS器件 1

硅基集成电路；毫米波；超宽带；变压器；低噪声放大器；倍频器；分频器；混频器 1

符号分析 1

绝缘体硅；线性分析；毫米波；功率放大器 1

遗传算法 1

静电击穿；半导体器件可靠性；CMOS工艺 1

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排序： 展示方式：

Erratum to: Folded down-conversion mixer for a 60 GHz receiver architecture in 65-nm CMOS technology

Najam Muhammad AMIN,Zhi-gong WANG,Zhi-qun LI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2015年 第16卷 第5期 doi: 10.1631/FITEE.14e0087

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基于变压器CMOS超宽带毫米波电路分析与设计综述 Review Articles

Yi-ming YU, Kai KANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2020年 第21卷 第1期   页码 97-115 doi: 10.1631/FITEE.1900491

摘要： 近年来，由于大量毫米波无线应用的产生，具有更强通用性的宽带毫米波电路和系统引起广泛关注。总结了4种基于片上变压器结构超宽带毫米波电路的理论分析、设计方法和综合性能。其一为毫米波低噪声放大器，采用基于变压器的跨导增强和极点调谐技术；通过采用这两种技术，该电路同时实现了较大工作带宽、低噪声系数和良好功率增益。其二为毫米波注入锁定三倍频器，采用注入电流增强技术，有效拓展了倍频器的锁定带宽。进一步，采用类似注入锁定技术结合变压器高阶谐振腔方案，实现了一款超宽带毫米波注入锁定分频器。最后，介绍了一款E波段上混频器，其采用两路跨导并联结构和基于变压器的多极点负载，实现了优异线性度和较大工作带宽。

关键词： 硅基集成电路；毫米波；超宽带；变压器；低噪声放大器；倍频器；分频器；混频器    

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基于电感和变压器跨导提升技术、噪声系数为3.2 dB、带宽为9.8–30.1 GHz的CMOS低噪声放大器

陈宏尘1,朱浩慎1,吴亮2,车文荃1,薛泉1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年 第22卷 第4期   页码 586-598 doi: 10.1631/FITEE.2000510

摘要： 使用台积电（TSMC）65 nm CMOS工艺流片并测试，这款低噪声放大器最低噪声系数仅为3.2 dB，带宽高达20.3 GHz，适用于5G毫米波收发系统。本文提出的宽带毫米波低噪声放大器经台积电65纳米CMOS工艺流片加工。去除测试PAD后的芯片面积仅为0.1 μm2。该低噪声放大器采用在片测试方法测试。

关键词： CMOS；跨导提升技术；低噪声放大器；变压器；共栅级    

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基于符号分析法的CMOS模拟单元电路自动优化技术

郑维山,邓青,刘朝霞,时龙兴

《中国工程科学》 2009年 第11卷 第4期   页码 50-56

摘要：

在CMOS单元电路自动优化中提出了一个新的设计方法。

关键词： 优化     性能方程     符号分析     遗传算法    

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高效节能计算的跨层设计：为实现每瓦特电力每秒千万亿次运算 Perspectives

Xiaobo Sharon HU, Michael NIEMIER

《信息与电子工程前沿（英文）》 2018年 第19卷 第10期   页码 1209-1223 doi: 10.1631/FITEE.1800466

摘要： 与此同时，越来越多证据表明，对于传统布尔电路和冯诺依曼处理器，超CMOS器件很难与CMOS技术竞争。为充分发挥超CMOS器件的优势，从器件到电路到体系结架再到算法的跨层设计工作不可或缺。

关键词： 摩尔定律；高效节能技术；神经网络加速器；超CMOS器件    

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MEMS-based thermoelectric infrared sensors: A review

Dehui XU, Yuelin WANG, Bin XIONG, Tie LI

《机械工程前沿（英文）》 2017年 第12卷 第4期   页码 557-566 doi: 10.1007/s11465-017-0441-2

摘要：

In the past decade, micro-electromechanical systems (MEMS)-based thermoelectric infrared (IR) sensors have received considerable attention because of the advances in micromachining technology. This paper presents a review of MEMS-based thermoelectric IR sensors. The first part describes the physics of the device and discusses the figures of merit. The second part discusses the sensing materials, thermal isolation microstructures, absorber designs, and packaging methods for these sensors and provides examples. Moreover, the status of sensor implementation technology is examined from a historical perspective by presenting findings from the early years to the most recent findings.

关键词： thermoelectric infrared sensor     CMOS-MEMS     thermopile     micromachining     wafer-level package    

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一种用于工业级荧光光纤温度传感器的栅控双向静电放电器件的设计与优化 Research Article

汪洋1,金湘亮1,杨健1,严峰1,刘煜杰1,彭艳2,罗均2,杨军3

《信息与电子工程前沿（英文）》 2022年 第23卷 第1期   页码 158-170 doi: 10.1631/FITEE.2000504

摘要： 工业级荧光光纤温度传感器读出电路的I/O引脚需要片上集成高性能静电放电（ESD）保护器件。采用0.18 μm标准BCD工艺制造的基本N型埋层栅控可控硅（NBL-GCSCR）失效等级难以满足需求。因此，基于相同半导体工艺，提出片上集成新型高失效等级深N阱栅控可控硅（DNW-GCSCR）以有效解决上述问题。采用技术计算机辅助设计（TCAD）仿真分析器件特性。可控硅通过传输线脉冲（TLP）进行测试，以获得准确ESD参数。具有纵向双极晶体管（BJT）路径的NBL-GCSCR维持电压（24.03 V）明显高于具有相同尺寸横向可控硅路径的DNW-GCSCR维持电压（5.15 V）。NBL-GCSCR器件的失效电流为1.71 A，DNW-GCSCR器件的失效电流为20.99 A。当DNW-GCSCR栅极尺寸从2 μm增加到6 μm时，维持电压为从3.50 V增加到8.38 V。优化后的DNW-GCSCR（栅极尺寸6 μm）可以稳定应用于目标读出电路的片上静电放电保护。

关键词： 静电击穿；半导体器件可靠性；CMOS工艺    

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高线性度U波段功率放大器设计：新型交调点分析方法 Research Article

崔杰,李佩佩,盛卫星

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年 第24卷 第1期   页码 176-186 doi: 10.1631/FITEE.2200082

摘要： 功率放大器的线性度决定了通信系统的信号发射质量与系统的发射效率。非线性失真会导致系统误码、带外辐射以及临近信道干扰，严重影响着通信系统的质量和可靠性。论文从毫米波功率放大器的三阶互调点入手，对电路的非线性进行补偿。介绍了基于格罗方德（GlobalFoundries） 45 nm绝缘体硅工艺的AB类线性毫米波功率放大器（PA）的分析、设计和测试情况。设计了三种工作在U波段的基于共源共栅和三管堆叠单元结构的单端和差分堆叠功率放大器。根据非线性分析和在片测试结果对比，发现基于三管堆叠单元的设计要优于基于共源共栅单元的设计。使用单端测量方法设计的差分功率放大器在44 GHz时实现了47.2%的峰值功率附加效率（PAE）和25.2 dBm的饱和输出功率（Psat）。该放大器在44 GHz至50 GHz的工作带宽内实现了Psat高于23 dBm和峰值PAE高于25%的性能。

关键词： 绝缘体硅；线性分析；毫米波；功率放大器    

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标题 作者 时间 类型 操作

Erratum to: Folded down-conversion mixer for a 60 GHz receiver architecture in 65-nm CMOS technology

Najam Muhammad AMIN,Zhi-gong WANG,Zhi-qun LI

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基于变压器CMOS超宽带毫米波电路分析与设计综述

Yi-ming YU, Kai KANG

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基于电感和变压器跨导提升技术、噪声系数为3.2 dB、带宽为9.8–30.1 GHz的CMOS低噪声放大器

陈宏尘1,朱浩慎1,吴亮2,车文荃1,薛泉1

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基于符号分析法的CMOS模拟单元电路自动优化技术

郑维山,邓青,刘朝霞,时龙兴

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高效节能计算的跨层设计：为实现每瓦特电力每秒千万亿次运算

Xiaobo Sharon HU, Michael NIEMIER

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MEMS-based thermoelectric infrared sensors: A review

Dehui XU, Yuelin WANG, Bin XIONG, Tie LI

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一种用于工业级荧光光纤温度传感器的栅控双向静电放电器件的设计与优化

汪洋1,金湘亮1,杨健1,严峰1,刘煜杰1,彭艳2,罗均2,杨军3

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高线性度U波段功率放大器设计：新型交调点分析方法

崔杰,李佩佩,盛卫星

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