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利用三元合金保护和催化的硅光阳极与廉价硅太阳能电池相结合实现12.0%的太阳能制氢效率 Article
何凌云, 洪欣, 王亦清, 邢众航, 耿嘉峰, 郭鹏慧, 苏进展, 沈少华
《工程（英文）》 2023年 第25卷 第6期 页码 128-137 doi: 10.1016/j.eng.2022.03.023
n型硅（n-Si）表面在水溶液中容易被氧化和钝化，导致其在光电化学（PEC）分解水的析氧反应（OER）动力学缓慢。制备的Ni0.9Fe0.05Co0.05/p+n-Si光阳极具有优异的稳定性和PEC水氧化活性，具有相对低的OER起始电位（相对于可逆氢电极电势（RHE）仅为0.938 V），并且在1.23 V vs.RHE电位时具有较高的光电流密度（33.1 mA∙cm-2），显著优于Ni/p+n-Si光阳极。令人鼓舞的是，通过将Ni0.9Fe0.05Co0.05/p+n-Si光阳极连接到廉价的硅太阳能电池上，所制备的集成光伏/PEC（PV/PEC）器件实现了无偏压下高达12.0%的太阳制氢能量转换效率。这项工作提供了一种简单的方法来设计高效、稳定的n-Si基光阳极，并对其构效关系有了深刻的理解；这种方法制备的材料在集成低成本PV/PEC器件用于无辅助太阳能驱动水分解方面具有巨大的潜力。
屠海令
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第1期 页码 7-17
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。
用于锂离子电池的富醚/酯/氟黏结剂配方 Article
Xianqing Zeng, Donglin Han, Zeheng Li, Hongxun Wang, Gu Wu, Yong Deng, Kai Liu, Li Xie, Chengdu Liang, Min Ling, Yuchuan Huang
《工程（英文）》 2022年 第19卷 第12期 页码 199-206 doi: 10.1016/j.eng.2022.05.020
由于硅阳极体积膨胀过大，无法在高能量密度电池中实现实际应用。研究人员一直专注于在阳极中添加黏结剂以限制体积膨胀，来解决这一问题，因为黏结剂的氢键和机械性能可以用来增强黏附力和适应硅阳极的体积变化。该黏结剂配方具有优异的稳定性、黏结性和机械强度，能够适应硅电极体积的剧烈变化，表现出优异的电化学性能，面积容量高达5.4 mA∙h∙cm−2。
邱竹贤,石忠宁,徐君莉
《中国工程科学》 2004年 第6卷 第8期 页码 35-39
研制了一种新型铝电解金属陶瓷惰性阳极，阳极基体由Fe-Ni-CoAl2O3构成。在石墨坩埚中，960℃温度下，电解质中的氧化铝质量分数为6.0%，摩尔比为2.6；阳极电流密度为1.0 A/cm2，阳极尺寸大小为120 mm×80 mm×石墨阴极尺寸大小为120 mm×40 mm×20 mm，通入的直流电为100～300 A，电解时间各为10 h；实验所得的电解铝产品纯度达到98%以上，杂质主要为Fe，Ni，Co；电解后的阳极外观尺寸无明显变化，阳极气体中氧气质量分数达到98%～99%。阳极的反电动势为2.45 V，比理论分解电压仅高出0.25 V证明该阳极为惰性阳极，在电解槽中进行的是Al2O3的分解反应。
王吉坤,冯桂林
《中国工程科学》 2009年 第11卷 第5期 页码 18-22
绍了新开发出来的一种具有较好工业应用前景的铜阳极泥预处理新工艺，小型及半工业试验结果表明，铜阳极泥直接加压酸浸，可以充分利用生阳极泥中水溶性铜离子的催化氧化作用
梁骏吾
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第6期 页码 33-35
文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736 t/a和1304 t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80 t/a，所以在中国建设一座年产1000 t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。
硅基石墨烯调制器 Special Feature on Optoelectronic Devices and Inte
Hao-wen SHU, Ming JIN, Yuan-sheng TAO, Xing-jun WANG
《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年 第20卷 第4期 页码 458-471 doi: 10.1631/FITEE.1800407
关键词： 硅基光电子学；石墨烯；光调制器
张福学,毛旭,张伟
《中国工程科学》 2006年 第8卷 第8期 页码 23-27
报道了一种利用旋转体自身角速度作为驱动力，通过各向异性刻蚀硅片制作的硅微机械陀螺。介绍了该陀螺敏感结构（硅摆）的设计、制作与封装工艺，用仿真器测试了旋转体的角速率。
用于制造高效低成本太阳能电池的单晶种铸造大型单晶硅 Article
Bing Gao,Satoshi Nakano,Hirofumi Harada,Yoshiji Miyamura,Takashi Sekiguchi,Koichi Kakimoto
《工程（英文）》 2015年 第1卷 第3期 页码 378-383 doi: 10.15302/J-ENG-2015032
为了能以低成本生产优质大型单晶硅，笔者提出了单晶种铸造技术。这项技术的实施，必须解决两个问题，即坩埚壁上的多晶成核问题和晶体内的位错增殖问题。在本文中，笔者尝试通过数值分析法来解决这两个问题。根据数值分析得出的优化熔炉结构和工况进行了实验，在实验中采用单晶种铸造技术来生长单晶硅。实验结果表明，该技术远优于常用的高性能多晶和准单晶铸造技术。
夏敦柱,王寿荣,周百令
《中国工程科学》 2006年 第8卷 第10期 页码 71-74
介绍了硅微谐振器系统的工作原理，重点给出了一种基于新型的DDS器件AD9954的智能谐振系统设计与实现。
王渭源,王跃林
《中国工程科学》 2002年 第4卷 第6期 页码 56-62
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定
关键词： 体硅键合技术 薄膜密封技术 微电子机械系统封装技术
混凝土中碱硅反应效应的多尺度均质化分析 Article
Roozbeh Rezakhani, Mohammed Alnaggar, Gianluca Cusatis
《工程（英文）》 2019年 第5卷 第6期 页码 1139-1154 doi: 10.1016/j.eng.2019.02.007
碱硅反应（ASR）是混凝土结构（如桥梁和水坝）在长期的高湿度环境下发生的主要劣化机制之一。ASR是骨料中活性硅成分与水泥浆中碱金属离子之间发生的一种化学反应。
标题 作者 时间 类型 操作
用于锂离子电池的富醚/酯/氟黏结剂配方
Xianqing Zeng, Donglin Han, Zeheng Li, Hongxun Wang, Gu Wu, Yong Deng, Kai Liu, Li Xie, Chengdu Liang, Min Ling, Yuchuan Huang
期刊论文
用于制造高效低成本太阳能电池的单晶种铸造大型单晶硅
Bing Gao,Satoshi Nakano,Hirofumi Harada,Yoshiji Miyamura,Takashi Sekiguchi,Koichi Kakimoto
期刊论文
京公网安备 11010502051620号
