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用高光谱发光法研究Cu(Inx,Ga1–x)Se2 (CIGS)模块中由P1引起的功率损耗的成因 Article
César Omar Ramírez Quiroz, Laura-Isabelle Dion-Bertrand, Christoph J. Brabec, Joachim Müller, Kay Orgassa
《工程(英文)》 2020年 第6卷 第12期 页码 1395-1402 doi: 10.1016/j.eng.2019.12.019
在本文中,我们利用了高光谱高分辨率光致发光映射技术,这是一个强大的工具,可用于选择和优化在Cu(Inx,Ga1-x)Se2(CIGS)模块上对子电池进行图案化互连的激光烧蚀工艺。具体而言,通过分析在CIGS沉积之前烧蚀的标准P1图案线,我们发现了沿着下部的钼槽边缘的异常发射猝灭效应。通过扫描电子显微镜(SEM)比较了P1边缘的横截面的形貌,我们进一步合理化产生这种效应的起因,但无法用厚度变化解释光发射的减少。我们还研究了激光诱导对CIGS沉积后的P1图案线带来的损伤。我们的发现能更好地理解P1引起的功率损耗,并为改进与行业相关的模块互连方案提供了新的见解。
关键词: Cu(Inx Ga1–x)Se2 电池到模块的效率差距 由P1引起的功率损耗 高光谱光致发光 激光烧蚀短程热效应
Powalla Michael,Paetel Stefan,Hariskos Dimitrios,Wuerz Roland,Kessler Friedrich,Lechner Peter,Wischmann Wiltraud,Magorian Friedlmeier Theresa
《工程(英文)》 2017年 第3卷 第4期 页码 445-451 doi: 10.1016/J.ENG.2017.04.015
本文讨论了基于Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 复合薄膜半导体材料的光伏(PV)技术。
一种促进低温快速沉积Cu(In,Ga)Se2薄膜生长的单加热克努森蒸发源的改良设计 Article
张运祥, 林舒平, 程世清, 何志超, 胡朝静, 周志强, 刘玮, 孙云
《工程(英文)》 2021年 第7卷 第4期 页码 534-541 doi: 10.1016/j.eng.2020.01.016
在共蒸发工艺中,克努森蒸发源经常被用来生长高质量Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜。与传统低温快速沉积工艺相比,新型单加热蒸发源提高了薄膜质量,并在230 nm·min–1的生长速率下,将器件相对效率提高了29%。
孙云,林舒平,李伟,程世清,张运祥,刘一鸣,刘玮
《工程(英文)》 2017年 第3卷 第4期 页码 452-459 doi: 10.1016/J.ENG.2017.04.020
本文总结了Cu(In, Ga)Se2 (CIGS) 电池中掺杂碱金属的发展历史和一些重要成果,综述了碱金属掺杂方式对CIGS 吸收层及器件性能的影响。通过分析由(NaF+KF)-PDT 导致的CIGS 表面结构及电学性能的改变,我们提出并解释了如下几个问题:①在低温沉积CIGS 薄膜过程中,Na 促进了CuInSe2的优先形成,排挤Ga 向Mo 衬底扩散,造成CIGS 薄膜的分层现象;② Na 原子钝化CIGS 晶界及表面缺陷从而提高空穴载流子浓度的相关机制;③过渡层减薄提高了短路电流(JSC
磁控溅射法生长的带隙可调谐(GaxIn1−x)2O3 Research Articles
张法碧1,孙巾寓1,李海鸥1,周娟1,王荣1,孙堂友1,傅涛1,肖功利1,李琦1,刘兴鹏1,张秀云1,郭道友2,王相虎3,秦祖军1
《信息与电子工程前沿(英文)》 2021年 第22卷 第10期 页码 1370-1378 doi: 10.1631/FITEE.2000330
离聚物基封装胶膜的吸湿解吸——一种用于CIGS 薄膜光伏组件的自呼吸封装胶膜 Article
Miao Yang, Raymund Schäffler, Tobias Repmann, Kay Orgassa
《工程(英文)》 2020年 第6卷 第12期 页码 1403-1407 doi: 10.1016/j.eng.2020.02.020
本文引入了一种创新的基于离聚物的多层封装胶膜用以代替传统双层玻璃光伏组件的封装材料。利用该封装胶膜,在不需要额外的边缘密封的情况下就能防止水汽渗透。本文分析了这种封装胶膜及其原料——聚(乙烯-共丙烯酸)和离聚物——在不同气候条件下的自发吸湿和解吸。相对空气湿度是这些逆过程的热力学驱动力,并决定了其平衡含水率(equilibrium moisture content, EMC)。空气湿度越大,EMC也越大。被吸收的水分子的均质化是一个扩散控制过程,其中温度起主要作用。然而,其在较高温度下扩散系数仍相对较低。我们认为,当光伏组件在正常气候条件下使用时,基于离聚物的封装胶膜可“呼吸”水汽,即在白天相对湿度较高时,它会“吸入”(吸收)水分并将其限制在组件的外边缘内,而在夜晚相对湿度较低时,它则会“呼出”(解吸)水分。通过这种方式,封装胶膜可以保护电池免受水汽的侵入。
关键词: 离聚物 封装胶膜 吸湿解吸 Cu(In Ga)Se2光伏组件
《能源前沿(英文)》 doi: 10.1007/s11708-023-0881-9
关键词: Ga(X)N/Si nanoarchitecture artificial photosynthesis water splitting solar toward hydrogen
《化学科学与工程前沿(英文)》 2022年 第16卷 第3期 页码 433-442 doi: 10.1007/s11705-021-2066-6
关键词: Cu2Se berzelianite nanocrystalline semiconductor mechanochemical synthesis planetary ball mill
NOx and H2S formation in the reductive zone of air-staged combustion of
Jinzhi CAI, Dan LI, Denggao CHEN, Zhenshan LI
《能源前沿(英文)》 2021年 第15卷 第1期 页码 4-13 doi: 10.1007/s11708-020-0804-y
关键词: blended coal combustion NOx formation H2S formation air staged combustion
H2 对Pt-Ba-Ce /γ-Al2O3 催化剂NOx 存储和还原机理的影响研究 Article
王攀, 裔静, 孙川, 罗鹏, 雷利利
《工程(英文)》 2019年 第5卷 第3期 页码 568-575 doi: 10.1016/j.eng.2019.02.005
本研究采用浸渍法制备了Pt-Ba-Ce/γ-Al2O3催化剂,利用实验评价了H2 对NSR(NOx<结果表明,透射电子显微镜(TEM)显示X 射线衍射(XRD)光谱中观察到的PtOx、CeO2 和BaCO3 峰很好地分散在在NOx 完全存储- 还原实验中,NO2 产量的增加使NOx 的存储能力在250~350 ℃ 的温度范围内大大提高, 在350 ℃ 达到最大值315.3 μmol·g–1。在NOx 吸附和脱附循环实验中,随着H2暴露时间(30 s、45 s 和60 s)延长,NOx 的存储效率和转化率增加
基于实时CT扫描技术的CO2和N2交替注入条件下煤吸附膨胀和解吸收缩规律研究 Article
张广磊, P.G. Ranjith, Herbert E. Huppert
《工程(英文)》 2022年 第18卷 第11期 页码 88-95 doi: 10.1016/j.eng.2022.03.010
深部煤层是分布最广泛的适宜二氧化碳(CO2)地质封存的地层之一,且通常位于大型CO2排放源附近。将CO2注入到煤层中具有巨大的CO2封存潜力,同时可以提高煤层气的采收率(CO2-ECBM)。本文采用原位同步辐射X射线显微CT扫描技术,首次在原位条件下直接证明了注入氮气(N2)可以置换解吸CO2并减小因CO2吸附引起的煤基质膨胀研究结果表明,煤层中注入经过简单处理的烟道气(主要成分为N2和CO2),是技术上可行的CO2-ECBM 替代方案。其次,N2的存在可以使煤层保持较高的渗透率,实现长期CO2注入封存和煤层气增产。
林咸志,薛涛,余鹏,陈青
《中国工程科学》 2011年 第13卷 第3期 页码 77-81
关键词: GA-ANFIS模型 评价指标 不确定性 边坡稳定性评价
王飚,王宇栋,李慧玲,张自华
《中国工程科学》 2002年 第4卷 第9期 页码 75-80
在碳钢母材上,用氧乙炔焰喷焊镍包铝合金粉末制取预涂层,喷焊50% Al2O3+50% Ni的复合粉末制取过渡层,用等离子喷焊Al2O3 - MxOy复合粉末制取最终涂层。
关键词: Al2O3-MxOy 涂层 等离子 抗腐蚀 抗磨损
基于半导体纳米晶体的神经突触器件 Review
步明轩1,2,王越1,2,尹蕾1,2,童周禹1,2,张懿强3,杨德仁1,2,4,5,皮孝东1,2,4,5
《信息与电子工程前沿(英文)》 2022年 第23卷 第11期 页码 1579-1601 doi: 10.1631/FITEE.2100551
近年来,人们对信息处理的需求日益增长,脑启发式神经形态器件得到了广泛的关注。突触器件作为一类重要的神经形态器件,在短短几年内迅速升温。在用于制备突触器件的各种材料中,半导体纳米晶体(NCs)因其优异的电学和光学性能而成为首选材料之一。本综述论文首先介绍了基于半导体纳米晶体的突触器件的研究背景及半导体纳米晶体的基本性质。然后,根据器件有源层所用纳米晶体种类的不同,分类介绍了基于纳米晶体的突触器件的最新研究进展。最后,讨论了基于半导体纳米晶体的突触器件目前仍面临的问题和挑战。
关键词: 半导体纳米晶体;突触器件;神经形态计算
标题 作者 时间 类型 操作
用高光谱发光法研究Cu(Inx,Ga1–x)Se2 (CIGS)模块中由P1引起的功率损耗的成因
César Omar Ramírez Quiroz, Laura-Isabelle Dion-Bertrand, Christoph J. Brabec, Joachim Müller, Kay Orgassa
期刊论文
基于Cu(In,Ga)Se2 低成本薄膜的光伏技术的进展
Powalla Michael,Paetel Stefan,Hariskos Dimitrios,Wuerz Roland,Kessler Friedrich,Lechner Peter,Wischmann Wiltraud,Magorian Friedlmeier Theresa
期刊论文
离聚物基封装胶膜的吸湿解吸——一种用于CIGS 薄膜光伏组件的自呼吸封装胶膜
Miao Yang, Raymund Schäffler, Tobias Repmann, Kay Orgassa
期刊论文
Ga(X)N/Si nanoarchitecture: An emerging semiconductor platform for sunlight-powered water splitting toward
期刊论文
Advantageous mechanochemical synthesis of copper(I) selenide semiconductor, characterization, and properties
期刊论文
NOx and H2S formation in the reductive zone of air-staged combustion of
Jinzhi CAI, Dan LI, Denggao CHEN, Zhenshan LI
期刊论文
吴飞:人工智能+X的思考与实践(2021年1月29日)
吴飞(高级职称)
2021年10月14日
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