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期刊论文 3

年份

2023 1

2015 1

2000 1

关键词

半导体硅片;8 in;12 in;产业协同;先进制程 1

杂质行为 1

硅外延片 1

硅片 1

绝缘体上硅 1

缺陷控制 1

表面质量 1

锗硅 1

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我国半导体硅片发展现状与展望

张果虎,肖清华,马飞

《中国工程科学》 2023年 第25卷 第1期   页码 68-78 doi: 10.15302/J-SSCAE-2023.01.002

摘要:

硅片是半导体关键的基础材料,我国半导体硅片对外依存度较高,增强硅片的自主保障能力,对提升我国半导体产业整体水平至关重要。本文重点围绕市场主流的8 in、12 in硅片,分析了全球半导体硅片的技术和产业发展现状,研判了全球半导体硅片产业未来的发展趋势,重点分析了我国半导体硅片的发展现状,指出我国半导体硅片在当前市场需求、宏观政策、配套能力、研发投入等利好因素下迎来难得的发展机遇,同时提出我国半导体硅片产业发展面临挑战,在此基础上,从进一步加强顶层设计和宏观规划、强化政策落实和政策持续性、协调支持产业链协同发展、布局研发集成电路先进制程用半导体硅片等方面提出对策建议,以期为推动我国半导体硅片向更高质量发展提供参考。

关键词: 半导体硅片;8 in;12 in;产业协同;先进制程    

摩尔定律发展亟需450 mm 硅片但时间可能会推迟

屠海令

《工程(英文)》 2015年 第1卷 第2期   页码 162-163 doi: 10.15302/J-ENG-2015060

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年 第2卷 第1期   页码 7-17

摘要:

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级(<0.5μm)和亚四分之一微米级(<0.25μm)发展,对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高,研究上述材料中各种杂质的行为,控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为,点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法,硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。

关键词: 硅片     硅外延片     锗硅     绝缘体上硅     杂质行为     缺陷控制     表面质量    

标题 作者 时间 类型 操作

我国半导体硅片发展现状与展望

张果虎,肖清华,马飞

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摩尔定律发展亟需450 mm 硅片但时间可能会推迟

屠海令

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硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

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