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硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年第2卷第1期页码 7-17

摘要：

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。

关键词：硅片硅外延片锗硅绝缘体上硅杂质行为缺陷控制表面质量

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高线性度U波段功率放大器设计：新型交调点分析方法 Research Article

崔杰,李佩佩,盛卫星

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第1期页码 176-186 doi: 10.1631/FITEE.2200082

摘要：介绍了基于格罗方德（GlobalFoundries） 45 nm绝缘体硅工艺的AB类线性毫米波功率放大器（PA）的分析、设计和测试情况。

关键词：绝缘体硅；线性分析；毫米波；功率放大器

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基于拓扑绝缘体Sb2Te3的52 nm宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器 Research

王涛1,俞强1,2,郭琨1,史鑫尧2,阚雪芬3,徐轶君4,5,吴坚1,4,张凯2,周朴1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年第22卷第3期页码 287-436 doi: 10.1631/FITEE.2000577

摘要：拓扑绝缘体Sb2Te3具有从可见光到红外波段的宽谱可饱和吸收的优点。在本研究中，首先将拓扑绝缘体家族中的二维材料Sb2Te3可饱和吸收体应用在宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器中。高质量的Sb2Te3晶体通过选区熔炼法合成，进一步通过改进的机械剥离方法制备少层Sb2Te3可饱和吸收体。基于此可饱和吸收体，在掺镱光纤环形腔中获得稳定的波长可调谐被动调Q脉冲，其中心波长可从1040.89 nm连续调节到1092.85 nm。

关键词：拓扑绝缘体；Sb2Te3；光纤激光；被动调Q激光；波长可调谐激光

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几种新体制半导体激光器及相关产业的现状、挑战和思考

韦欣,李明,李健,汪超,李川川

《中国工程科学》 2020年第22卷第3期页码 21-28 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.004

摘要：同时，结合国内政策导向优势，在垂直外腔面发射激光器、微纳结构激光器以及拓扑绝缘体激光器等几个发展势头强劲的新型激光技术中加大投入，进行批量生产和可控制备研发，力争在国际相关领域的竞争中抢占战术制高点。

关键词：半导体激光器，光泵浦垂直外腔面发射激光器，纳米激光器，拓扑绝缘体激光器

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用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术

王渭源,王跃林

《中国工程科学》 2002年第4卷第6期页码 56-62

摘要：

对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定

关键词：体硅键合技术薄膜密封技术微电子机械系统封装技术

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上的超分辨率光谱位移传感"> 表面"彩虹"上的超分辨率光谱位移传感 Article

Lyu Zhou, Nan Zhang, Chang Chieh Hsu, Matthew Singer, Xie Zeng, Yizheng Li, Haomin Song, Josep Jornet, Yun Wu, Qiaoqiang Gan

《工程（英文）》 2022年第17卷第10期页码 75-81 doi: 10.1016/j.eng.2022.03.018

摘要：这些应用中理想的目标是可实现光谱信息片上分析的小型化光谱仪。结合超分辨图像处理，通过低设置4×光学显微镜系统可分辨出等离子体“彩虹”捕获超表面上35 nm范围内共振位置的位移，同时该超表面的面积小至0.002 mm^{2这种可实现高效耦合的“彩虹”等离子体共振空间操纵的独特特征为小型化片上光谱分析提供了一个新的平台，其光谱分辨率为0.032 nm波长偏移。通过使用该低设置4×光学显微镜成像系统，我们展示了A549 外泌体的生物传感分辨率为1.92×109个∙mL⁻¹，并使用外泌体表皮生长因子受体（}

关键词： “彩虹”捕获超表面表面等离子体激元超分辨位移片上生物传感

HTML PDF 上的超分辨率光谱位移传感');" id="collect_35558"> 收藏

单元体斜截面上的应力不是其上质点平衡的应力

韩文坝,蔡冰清,刘大斌,韩晓东

《中国工程科学》 2005年第7卷第11期页码 42-47

摘要：

以直杆轴向拉伸为例说明：单元体斜截面上的平衡应力只是保证斜截单元体平衡的应力，不是保证其上质点平衡的应力；单元体平衡与质点平衡是不同的。σ²₂+σ²₃)^1/2≤ [σ],进而推导出正方体被三向等应力拉伸时其最小破坏+ (σ₃-σ₁)²) /2]^1/2≤ [σ],推翻了正方体被三向等应力拉伸时

关键词：应力斜截面质点平衡应力强度理论

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电子级多晶硅的生产工艺

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第12期页码 34-39

摘要：

就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较介绍了用三氣氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。

关键词：多晶硅三氣氢硅法硅烷法流程生产

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决策树技术在电缆绝缘状态评估中的应用

孙秋野,张化光,张铁岩

《中国工程科学》 2010年第12卷第2期页码 90-94

摘要：

电缆的绝缘状态通常可以分为良好、不好、差和故障等几种，以电缆的日常检修数据、试验数据和在线监测数据为基础，对电缆的状态进行判断是一个非常有意义的课题采用决策树分类技术来对电缆的绝缘状态进行分类，分别对各种类型数据形成子树，然后通过子树合成技术形成最终的决策树，从而对电缆的绝缘状态进行判断。通过一个实际电缆的各种数据，采用SPSS软件进行实际应用，最终的仿真结果说明决策树技术是一种非常有效的电缆绝缘状态分类技术。

关键词：决策树分类数据挖掘电缆绝缘

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带状态反馈控制的概率布尔网络上基于互模拟的稳定性研究 Research Articles

Nan JIANG, Chi HUANG, Yao CHEN, Jürgen KURTHS

《信息与电子工程前沿（英文）》 2020年第21卷第2期页码 268-290 doi: 10.1631/FITEE.1900447

摘要：研究具有状态反馈控制的概率布尔控制网络。为降低计算复杂度，定义一种新的互模拟概率布尔控制网络。为更好理解概率布尔控制网络之间的互模拟关系，使用一种半张量积的强大矩阵运算。由于网络稳定至关重要，考虑互模拟概率布尔控制网络之间的1-概率稳定传播，并证明可行性。如果两个概率布尔控制网络之间匹配互模拟关系，则它们的过渡阶段（实现稳定的最大步骤数）被证明相同。之后，将结果推广到概率布尔网络。

关键词：硅基集成电路；毫米波；超宽带；变压器；低噪声放大器；倍频器；分频器；混频器

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软磁复合材料硝酸钠钝化绝缘包覆新技术 Article

严密, 陈起明, 刘冬, 吴琛, 王健

《工程（英文）》 2023年第20卷第1期页码 134-142 doi: 10.1016/j.eng.2022.01.016

摘要：

本研究发明了制备FeSiAl软磁复合材料（SMC）的硝酸钠钝化绝缘包覆新技术。结合成分组成和微观结构分析，研究了不同pH条件下包覆层的生成规律，发现酸性NaNO₃溶液钝化形成的绝缘包覆层由Fe₂O₃、SiO

关键词：软磁复合材料表面钝化绝缘包覆技术生长机理磁性能

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千兆赫片上互联单壁纳米碳管电分析 Article

Zamshed Iqbal CHOWDHURY,Md. Istiaque RAHAMAN,M. Shamim KAISER

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第2期页码 262-271 doi: 10.1631/FITEE.1500349

摘要：在未来的高频系统芯片，特别是片上网络的设计中，知识产权模块之间的联系至为关键，而单壁纳米碳管则是其中一种很有前景的纳米结构。电路及系统尺寸的不断缩减限制了对1000 GH级别高频信号特征的利用。本文针对不同结构构型的单壁纳米碳管，对高质量互联中四项重要的四项电参数——阻抗，传播常量，电流密度以及信号延时进行了推导。每个参数均表现出了对其设计互联频率范围和构型的强相关性。与现有理论和实验结果相比，本文所提出的模型在解决下一代高速集成电路互联问题上有其新颖性。

关键词：互联；碳纳米管；电流密度；传播常量；特性阻抗；片上系统

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舰船管系绝缘密封垫片电绝缘性能研究

李竹影,曹文康,刘冶,张晓东

《中国工程科学》 2015年第17卷第5期页码 58-62

摘要：

研究了用于舰船管系异种金属绝缘的石棉橡胶纤维垫片和环氧垫片在海水、碱溶液（10 % NaOH溶液）、酸溶液（10 % H2SO4溶液）和重油中浸泡后，其体电阻率和面电阻率随浸泡时间的变化规律。厘米）量级，在海水中的电绝缘有效期约为4个月，环氧垫片的湿态电阻可保持为104~6欧姆（或欧姆?厘米）量级，环氧材料组成的垫片其绝缘性能远好于石棉橡胶纤维垫片的绝缘性能。

关键词：石棉橡胶纤维垫片；环氧垫片；电阻率

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兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第6期页码 33-35

摘要：

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736 t/a和1304 t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80 t/a，所以在中国建设一座年产1000 t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。

关键词：多晶硅半导体工业规模生产

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硅基石墨烯调制器 Special Feature on Optoelectronic Devices and Inte

Hao-wen SHU, Ming JIN, Yuan-sheng TAO, Xing-jun WANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年第20卷第4期页码 458-471 doi: 10.1631/FITEE.1800407

摘要：为满足下一代光互联技术高带宽、低功耗的需求，基于金属互补氧化物半导体（CMOS）工艺的硅基光电子技术有望实现光电器件大规模、高密度集成，在高速率数据传输方面带来新突破。硅基调制器是硅基光电子学的核心器件之一，然而传统基于等离子色散效应的硅基耗尽式调制器在带宽、尺寸和功耗方面存在一定限制，影响传输系统整体性能。为解决该问题，石墨烯被引入硅基光电子器件的材料体系，其优异的电学传输特性和光电特性有效提升传统硅基光调制器单元器件性能。我们总结了基于热光、电光、等离子体等硅基石墨烯调制器的最新进展，其出色性能使硅基石墨烯调制器有望成为下一代片上及片外光互连技术的候选方案。

关键词：硅基光电子学；石墨烯；光调制器

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硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

期刊论文

高线性度U波段功率放大器设计：新型交调点分析方法

崔杰,李佩佩,盛卫星

期刊论文

基于拓扑绝缘体Sb2Te3的52 nm宽谱可调谐被动调Q掺镱光纤激光器

王涛1,俞强1,2,郭琨1,史鑫尧2,阚雪芬3,徐轶君4,5,吴坚1,4,张凯2,周朴1

期刊论文