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梁骏吾
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第6期 页码 33-35
文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736 t/a和1304 t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80 t/a，所以在中国建设一座年产1000 t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。
用于制造高效低成本太阳能电池的单晶种铸造大型单晶硅 Article
Bing Gao,Satoshi Nakano,Hirofumi Harada,Yoshiji Miyamura,Takashi Sekiguchi,Koichi Kakimoto
《工程（英文）》 2015年 第1卷 第3期 页码 378-383 doi: 10.15302/J-ENG-2015032
为了能以低成本生产优质大型单晶硅，笔者提出了单晶种铸造技术。这项技术的实施，必须解决两个问题，即坩埚壁上的多晶成核问题和晶体内的位错增殖问题。在本文中，笔者尝试通过数值分析法来解决这两个问题。根据数值分析得出的优化熔炉结构和工况进行了实验，在实验中采用单晶种铸造技术来生长单晶硅。实验结果表明，该技术远优于常用的高性能多晶和准单晶铸造技术。
屠海令
《中国工程科学》 2000年 第2卷 第1期 页码 7-17
随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。
硅基石墨烯调制器 Special Feature on Optoelectronic Devices and Inte
Hao-wen SHU, Ming JIN, Yuan-sheng TAO, Xing-jun WANG
《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年 第20卷 第4期 页码 458-471 doi: 10.1631/FITEE.1800407
关键词： 硅基光电子学；石墨烯；光调制器
张福学,毛旭,张伟
《中国工程科学》 2006年 第8卷 第8期 页码 23-27
报道了一种利用旋转体自身角速度作为驱动力，通过各向异性刻蚀硅片制作的硅微机械陀螺。介绍了该陀螺敏感结构（硅摆）的设计、制作与封装工艺，用仿真器测试了旋转体的角速率。
夏敦柱,王寿荣,周百令
《中国工程科学》 2006年 第8卷 第10期 页码 71-74
介绍了硅微谐振器系统的工作原理，重点给出了一种基于新型的DDS器件AD9954的智能谐振系统设计与实现。
王渭源,王跃林
《中国工程科学》 2002年 第4卷 第6期 页码 56-62
对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定
关键词： 体硅键合技术 薄膜密封技术 微电子机械系统封装技术
混凝土中碱硅反应效应的多尺度均质化分析 Article
Roozbeh Rezakhani, Mohammed Alnaggar, Gianluca Cusatis
《工程（英文）》 2019年 第5卷 第6期 页码 1139-1154 doi: 10.1016/j.eng.2019.02.007
碱硅反应（ASR）是混凝土结构（如桥梁和水坝）在长期的高湿度环境下发生的主要劣化机制之一。ASR是骨料中活性硅成分与水泥浆中碱金属离子之间发生的一种化学反应。
丁金磊,程晓舫,余世杰,何慧若
《中国工程科学》 2005年 第7卷 第6期 页码 45-49
从实际的晶体硅太阳电池电路基本方程出发，推导出晶体硅太阳电池最大功率下负载的函数表达。与传统的电工电路不同，太阳电池电路最大功率点下的负载大于太阳电池内阻，并随着温度的升高，其比值逐渐降低。
采用硅光电倍增管阵列扩展探测实现非线性荧光显微技术中散射光子探测信号的增强 Research Articles
施汝恒1,靳程1,刘驰1,孔令杰1,2
《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年 第22卷 第10期 页码 1289-1298 doi: 10.1631/FITEE.2000410
夏敦柱,周百令,王寿荣
《中国工程科学》 2007年 第9卷 第8期 页码 66-68
介绍了在开环工作状态下硅微z轴谐振陀螺仪由于加工工艺缺陷所导致的误差机理。通过对硅微z轴陀螺仪敏感模态的反馈力与谐振频率的关系分析，间接得出了在敏感方向上电负刚度与力矩器所施电压的内在联系，并在实验上进一步验证电刚度效应。这将为下一步闭环控制方案的设计奠定重要基础。
标题 作者 时间 类型 操作
用于制造高效低成本太阳能电池的单晶种铸造大型单晶硅
Bing Gao,Satoshi Nakano,Hirofumi Harada,Yoshiji Miyamura,Takashi Sekiguchi,Koichi Kakimoto
期刊论文
京公网安备 11010502051620号
