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期刊论文 681

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2007 32

2006 26

2005 21

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关键词

设计 20

优化设计 11

三峡工程 9

增材制造 9

多目标优化 7

施工 5

机器学习 5

材料设计 5

创新设计 4

数值模拟 4

稳健设计 4

3D打印 3

协同设计 3

DSM（设计结构矩阵） 2

D区 2

仿真 2

创新 2

协同效应 2

南京长江第四大桥 2

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检索范围：

排序：展示方式：

碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析 Article

Mohammad Hossein MOAIYERI,Shima SEDIGHIANI,Fazel SHARIFI,Keivan NAVI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2016年第17卷第10期页码 1056-1066 doi: 10.1631/FITEE.1500214

摘要：概要：CMOS二进制逻辑受短沟道效应、功率密度及互连约束等条件的限制。非硅多值逻辑计算是克服上述问题的一种有效方案。本研究在碳纳米管场效应管（carbon nanotube field effect transistors, CNTFET）的基础上提出了两种高性能四进制全加单元。该全加单元利用了CNTFET独有的特性，如目标电压阈值可通过调整碳纳米管管径控制、CNTFET具有与p型和n型器件相同的迁移性。与当前水平的四进制全加器相比，本文所采用的设计平均降低延迟32%，所需平均功率、能耗及静态功率分别为现有水平的68%、83%及77%。仿真结果表明，所述设计在生产制程、电压、温度变化、噪声耐受方面具有较好的鲁棒性。

关键词：纳米电子；碳纳米管场效应管；多值逻辑；四进制逻辑

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基于碳纳米管场效应管的新型三元半加器及乘法器 Article

Sepehr TABRIZCHI,Nooshin AZIMI,Keivan NAVI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第3期页码 423-433 doi: 10.1631/FITEE.1500366

摘要：碳纳米管场效应管（CNTFETs）被认为是硅晶体管可行的替代方案。将CNTFETs与MVL结合，可以得到更快、更灵活的独特设计方案。本文利用微纳技术和三元逻辑设计出了新型的半加器和乘法器。我们利用斯坦福CNTFET模型和HSPICE软件对本文设计器件进行了仿真，并将仿真结果与相关研究结果进行了对比。

关键词：碳纳米管场效应管设计；三元；半加器；乘法器；多值逻辑

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基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077

摘要：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）可替代传统晶体管，尤其在基于近似计算的容错数字电路中。本文结合CNTFET技术和栅极扩散输入（GDI）技术，提出3种分别具有6、6和8个晶体管的基于近似计算的全加器。采用基于非支配排序的遗传算法II，将管数和手性向量作为变量，对所提单元进行性能寻优。在电路晶体管中使用的动态阈值技术修正了可能出现的输出压降。所提电路出色的电路性能和差错率使其可以作为复杂算术电路（如乘法器）的最低有效位（LSB）部分。

关键词：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算

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千兆赫片上互联单壁纳米碳管电分析 Article

Zamshed Iqbal CHOWDHURY,Md. Istiaque RAHAMAN,M. Shamim KAISER

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第2期页码 262-271 doi: 10.1631/FITEE.1500349

摘要：在未来的高频系统芯片，特别是片上网络的设计中，知识产权模块之间的联系至为关键，而单壁纳米碳管则是其中一种很有前景的纳米结构。电路及系统尺寸的不断缩减限制了对1000 GH级别高频信号特征的利用。本文针对不同结构构型的单壁纳米碳管，对高质量互联中四项重要的四项电参数——阻抗，传播常量，电流密度以及信号延时进行了推导。每个参数均表现出了对其设计互联频率范围和构型的强相关性。

关键词：互联；碳纳米管；电流密度；传播常量；特性阻抗；片上系统

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通过官能团化处理提高碳纳米管对超高性能混凝土抗冲击性能的增强效果 Article

王佳亮, 董素芬, Sze Dai Pang, 余逊, 韩宝国, 欧进萍

《工程（英文）》 2022年第18卷第11期页码 232-245 doi: 10.1016/j.eng.2021.04.030

摘要：但碳纳米管的弱润湿性和低分散性以及碳纳米管与UHPC之间的弱界面结合限制了其增强效果的充分发挥。因此，本文拟通过官能团化处理提高碳纳米管对UHPC抗冲击性能的增强效果。研究结果表明，通过碳纳米管的官能团化处理可使C‒S‒H 凝胶中的Si‒O‒Ca‒O‒Si 配位键发生断裂，进而在UHPC基体中形成以碳纳米管为中心的增强网络。此外，掺入官能团化碳纳米管（尤其羧基化碳纳米管）可显著降低骨料-基体界面宽度甚至消除界面，提高UHPC 结构整体性。在所有复合材料中，羧基化碳纳米管（尤其是羧基化短碳纳米管）复合UHPC的抗冲击性能普遍优于普通及羟基化碳纳米管复合UHPC，甚至超过高掺量的钢纤维复合UHPC。

关键词：官能团化碳纳米管混凝土抗冲击性能增强机理

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水处理仿生膜研究进展

曾艳军,张林,陈欢林

《中国工程科学》 2014年第16卷第7期页码 10-16

摘要：在此基础上分别对以膜蛋白、碳纳米管和人造有机纳米孔道为水通道的仿生膜研究进展进行了综述，着重阐述了以膜蛋白为水通道的仿生膜中两性嵌段共聚物基质的优点、规模化制备面临的问题；以碳纳米管为水通道的仿生膜中水快速传输的机理与膜的制备方法；以及人造有机纳米孔道的设计方法。

关键词：细胞膜水通道蛋白仿生膜碳纳米管人造水通道

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钾/锰助剂对氮掺杂碳纳米管负载铁基催化剂在CO₂加氢过程中的影响研究 Article

Praewpilin Kangvansura, Ly May Chew, Chanapa Kongmark, Phatchada Santawaja, Holger Ruland, Wei Xia, Hans Schulz, Attera Worayingyong, Martin Muhler

《工程（英文）》 2017年第3卷第3期页码 385-392 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.013

摘要：

氮掺杂碳纳米管(NCNTs) 作为载体负载铁(Fe) 纳米颗粒，可应用于CO₂多相催化加氢反应(633 K和25 bar)。助催化剂Mn 的结构效应通过X 射线衍射、氢气程序升温还原以及近边X 射线吸收精细结构进行表征。助催化剂Mn 不仅能够稳定中间态FeO，且能降低程序升温还原的起始温度。通过探针反应NH₃ 的催化分解来表征助催化剂效应。当K 和Mn 作为助催化剂时，Fe/NCNT 具有最好的催化活性。

关键词： CO₂ 加氢铁基催化剂 n 型碳纳米管 Mn 助剂 K 助剂

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解决一维材料黏附行为的实验方法综述 Review

James L. Mead, Shiliang Wang, Sören Zimmermann, Sergej Fatikow, Han Huang

《工程（英文）》 2023年第24卷第5期页码 39-72 doi: 10.1016/j.eng.2023.02.012

摘要：

一维(1D)材料(如纳米管和纳米线)的黏附行为在集成一维组件的新型器件以及基于一维阵列的仿生黏合剂的有效制造、功能和可靠性中起着决定性作用考虑了一维材料作为增强剂在纳米复合材料中的应用以及相关的界面表征技术。研究了样品制备和黏附测试过程中存在的环境条件对一维界面相互作用的潜在影响，并最终改变了一维材料的粘附行为。

关键词：界面粘附一维材料纳米线碳纳米管纳米操控表面力机械剥皮

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基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器 Article

高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东

《工程（英文）》 2023年第21卷第2期页码 61-74 doi: 10.1016/j.eng.2022.06.018

摘要：

本文介绍了一种基于横向运动栅极场效应晶体管（LMGFET）的新型微型力传感器。文中提出了一种用于小型LMGFET器件性能评估的电气模型，与以前的模型相比，其具有更高精度。由此设计了一种新型的三明治夹层结构，该结构由跨轴解耦Au-栅极阵列层和两个柔性光刻胶SU-8 层组成。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65 μA∙nN−1，可与垂直可动栅极场效应晶体管（VMGFET）器件相媲美，器件的非线性度提高了0.78%，测量范围扩大为±5.10上述分析能够为LMGFET器件的电气和结构参数提供全面的设计优化指导，并证明了所提出的传感器在生物医学显微操作应用中具有出色的力传感潜力。

关键词：微力传感器横向运动栅极场效应管柔性光刻胶SU-8 生物医学显微操作

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高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵野,陆生礼

《中国工程科学》 2008年第10卷第2期页码 72-78

摘要：

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明，该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。

关键词：垂直双扩散MOS场效应晶体管静态物理模型解析方法