《1 前言》

1 前言

甚大规模集成电路 （ULSI） 的特征尺寸已达到亚微米及以下，其多层金属布线变细，导致电阻率增大、产生的热量增多，造成严重的电迁移现象，影响了 ULSI 器件的性能。 广泛用于 ULSI 设计中的 Al 作为互连结构的金属己不能满足器件性能的需要。Cu 的电阻率低，抗电迁移率高， Cu /SiO2 系统电阻—电容延迟时间短，由它们构成的器件能满足高频、高集成度、大功率、大容量、使用寿命长的要求，ULSI 多层布线金属已由传统的 Al 向 Cu 转化。

集成电路衬底及立体化结构层要求有极高的平面度和超光滑表面，化学机械抛光（CMP）是目前能够提供此类全局平坦化的唯一加工方法，Cu 的 CMP 是 ULSI 制备中的核心技术之一。Cu 的 CMP 技术的重点是研制一种高质、高效的抛光液。 包含固、液两相的抛光液影响 CMP 的化学腐蚀效应和机械去除效应，是晶片全局平坦化的一个关键因素。 Yano 等[1]较早地采用基于静电吸附的无机/有机复合磨粒抛光液对 Al、Nb 材料进行了 CMP 试验，弥补了单一磨粒抛光液材料去除率低、表面容易产生划痕等不足。 陈志刚等[2] 则采用液 相沉淀工艺制备了粒径在 150 ~200 nm的 CeO2 /PS 复合磨粒，用于硅热氧化片表面的抛光。 Armini 等[3] 的研究表明，通过静电作用形成的 PMMA /SiO2 复合磨粒的抛光性能优于通过硅烷偶联剂处理并形成化学键结合的 PMMA/SiO2 复合磨粒。 Tani 等[4,5]的研究表明，通过聚合物微球与游离磨粒的相互作用，包含聚合物微球和 SiO2 磨粒的抛光液可用于硬质抛光盘条件下的化学机械抛光，抛光后工件周边无塌边。另一类无机/无机复合磨粒则可以提高抛光液的选择性[6]，改善表面微观缺陷[7]。

当无机磨粒与有机微球具有同种极性电位时，很难通过静电作用形成复合磨粒。 通过聚电解质改变有机微球的荷电特性，增强无机磨粒与有机微球的静电吸附能力，是制备无机/有机复合磨粒的一种有效方法，其理论基础是静电层层自组装（ LbL）技术[8]。LbL 技术在染 料[9]、医药[10]和纳米薄膜[11]等领域已有广泛应用。

本文研究了苯代三聚氰胺甲醛（BGF）微球与阳离子型聚电解质聚二烯丙基二甲基氯化铵（PDADMAC）、阴离子型聚电解质聚 4－苯乙烯璜酸钠（PSS）之间的静电吸附作用，通过改变和控制 BGF 微球的荷电特性,研究基于静电吸附作用的 BGF/SiO2 复合磨粒制备方法，并利用这些复合磨粒抛光液进行铜片的抛光试验，着重分析了吸附在聚合物微球表面的和游离的 SiO2 磨粒在抛光中的作用机制，评价了混合磨粒与复合磨粒的化学机械抛光性能。

《2 试验材料和试验方案》

2 试验材料和试验方案

《2.1 试验材料》

2.1 试验材料

苯代三聚氰胺甲醛微球（ 平均粒径 2 μm，杭州精彩化工有限公司生产）；阳离子型聚电解质聚二烯丙基二甲基氯化铵 （20 % 水溶液，平均分子量MW =2 ×105~3.5 ×105，Sigma-Aldrich 生产）；阴离子型聚电解质聚 4 -苯乙烯璜酸钠（30 %水溶液，平均分子量 MW =7.0 ×104，Sigma-Aldrich 生产）；聚乙烯硫酸钾（PVSK, Wako 生产）； 甲苯胺兰（TB, Wako 生产）；FA10C6201 型单一 SiO2 磨粒铜抛光液（平均粒径 30 nm，天津晶岭电子材料科技有限公司生产）。

《2.2 试验方案》

2.2 试验方案

2.2.1 聚合物微球吸附聚电解质

以 KOH 为酸碱调节剂，配制 pH =10.5、浓度为3.0 %（质量分数）的 BGF 悬浮液。将 BGF 悬浮液分为若干份，每份 50 mL，分别加入不同量的 PDADMAC。悬浮液用超声振荡 10 min，使 PDADMAC 充分吸附在 BGF 微球表面。 各取 10 mL 吸附聚电解质的 BGF 悬浮液，用离心机在 3 000 r/min 下离心分离 10 min，移取上清液 2 mL，用 PVSK 溶液滴定，以 TB 为指示剂，确定溶液中剩余 PDADMAC 的含量，进而得出 PDADMAC 在 BGF 微球表面的吸附量。 取出各种不同 PDADMAC 吸附量的 BGF 悬浮液少量，稀释后测 BGF 微球的表面 Zeta 电位。

取已饱和吸附 PDADMAC 的 BGF 悬浮液，经离心、洗涤、溶解、离心，除去未吸附的多余 PDADMAC。将获得的改性 BGF 微球配制成 pH =10.5、浓度 3.0 %（ 质量分数） 的悬浮液。 将悬浮液分成若干份，每份 50 mL，加入不同量的 PSS，超声振荡 10 min，使 PSS 充分吸附在改性 BGF 微球表面。各取 10 mL 吸附 PSS 的 BGF 悬浮液，用离心机在3 000 r/min下离心分离 10 min，移取上清液 2 mL，再加入一定量的 PDADMAC，用 PVSK 溶液滴定，以TB 为指示剂，确定溶液中剩余 PDADMAC 的含量，进而得出上清液中以及在 BGF 微球表面的 PSS 吸附量。 取出各种不同 PSS 吸附量的 BGF 悬浮液少量，稀释后测 BGF 微球的表面 Zeta 电位。

为方便表达，将吸附多层聚电解质的 BGF 微球用 PEi -BGF 表示，PE0 -BGF 表示未经改性的 BGF 微球，PE1 -BGF 表示经第 1 层聚电解质 PDADMAC 吸附的 BGF 微球，PE2 -BGF 表示 经第 2 层聚 电解质 PSS 改性的 BGF 微球，以此类推。

取 pH =10.5、饱和吸 附 PDADMAC 后 的 BGF 悬浮液，经离心、洗 涤、再溶解，除去未吸附的多余 PDADMAC。 再加入饱和量的 PSS，经超声、离心、洗涤、再溶解，除去未吸附的多余 PSS。 重复上述步骤，交替吸附 PDADMAC 和 PSS。每吸附一层电解质后均取出少量 PEi -BGF 悬浮液，稀释后测各种PEi -BGF 微球的表面 Zeta 电位。

2.2.2 抛光液配制､热重分析（TG） 和透射电子显微镜（TEM）观察

FA10C6201 抛光液、未改性 BGF 微球按比例混合，用去离子水稀释，用 KOH 调节 pH 值至 10.5，超声振荡 10 min，得到 PE0 -BGF/SiO2 混合磨粒抛光液。

FA10C6201 抛光液、吸附 PDADMAC 或交替吸附 PDADMAC/PSS 的 PEi -BGF 微球按比例混合，用去离子水稀释，用 KOH 调节 pH 值至 10.5，超声振荡 10 min，得到 PEi -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液。

取各种混合磨粒、复合磨粒抛光液少量，用离心机在 3 000 r/min 下离心分离 10 min。 取适量沉淀物在真空干燥箱中干燥，在 Pyris1 TGA 型热分析仪上进行热失重分析；同时取少量沉淀物再溶解在pH =10.5的去离子水中，用 JEM-1230 型透射电子显微镜观察 BGF 微球与 SiO2 磨粒的吸附情况。

2.2.3 抛光试验

以 UNIPOL-1260 型研磨抛光机（ 沈阳科晶设备制造有限公司生产）为抛光试验平台。工件为33 mm ×20 mm 的铜片，纯度 99.95 %， 厚度（1 ±0.02） mm，表面粗糙度 Ra 为 0.166 μm，用石蜡对称粘贴 在载样盘 上。 抛光 液为各种 PEi -BGF 微球和 FA10C6201 型单一 SiO2 磨粒抛光液调配成的各种混合或复合磨粒抛光液。 抛光基本工艺参数如下：抛光压强 20.7 kPa，抛光时间 60 min，抛光液 pH =10.5，抛光液流量 35 mL/min，PEi -BGF 微球浓度3 %（质量分数），工作台与载样盘的转速均为50 r/min。 抛光前后的铜片厚度用精度为 1 μm 的高度测量仪测量，得出抛光材料去除率。

《3 结果与讨论》

3 结果与讨论

《3.1 阳离子聚电解质在 BGF 微球表面的吸附行为及对微球表面 Zeta 电位的影响》

3.1 阳离子聚电解质在 BGF 微球表面的吸附行为及对微球表面 Zeta 电位的影响

经测定，试验用 pH =10.5 的抛光液中 SiO2 磨粒的 Zeta 电位为 -43.1 mV，商品状态 BGF 微球在pH =10.5 的溶液中的 Zeta 电位值为 -42.3 mV，两者在溶液中呈静电斥力。

PDADMAC 是强阳离子型聚电解质，在溶液中与带相反电荷颗粒表面的吸附主要依靠静电吸引[12]。图 1 中 曲线是 pH =10.5 时，浓度为3.0 %（质量分数）的 BGF 悬浮液对 PDADMAC 的吸附曲线。 由图1可知，BGF 对 PDADMAC 的吸附量 随聚电解质浓度C PDADM AC 的提高而增加，在450 mg/L附近达到较大值，为 1.939 mg/g；继续增加聚电解质浓度，吸附量变化不大，说明吸附已基本达到平衡。

图 1 中 b 曲线为 pH =10.5 时吸附 PDADMAC 聚电解质后 BGF 微球的 Zeta 电位变化情况。 由图可知，只要少量的阳离子聚电解质 PDADMAC，就可以使 BGF 微球 的 Zeta 电位 很快变正。PDADMAC 的添加量达到 225 mg/L 以后，BGF 的 Zeta 电位保持在 32 mV 左右，不再继续增加，说明此时 PDADMAC 在 BGF 微球表面的吸附基本保持平衡。

《图1》

图1 BGF微球上 PDADMAC 的吸附曲线及 BGF 微球表面 Zeta 电位曲线

Fig.1 Adsorption isotherms of PDADMAC on BGF particles and its Zeta potential

《3.2 阴离子聚电解质在改性 BGF 微球表面的吸附行为及对微球表面 Zeta 电位的影响》

3.2 阴离子聚电解质在改性 BGF 微球表面的吸附行为及对微球表面 Zeta 电位的影响

阴离子型聚电解质 PSS 可以通过静电作用吸附在改性后带正电的 BGF 微球表面。 图 2 中 曲线是 pH =10.5 时浓度为 3.0 %（质量分数）的 PDADMAC 改性 BGF 悬浮液对 PSS 的吸附情况。 由图 2 可知，改性 BGF 对 PSS 的吸附量随着聚电解质浓度的提高而增加， 在 525 mg/L 附近达到较大值，为4.220 mg/g；继续增加 PSS 浓度，吸附量变化不大，说明吸附已基本达到平衡。

《图2》

图2 改性 BGF 微球上 PSS 的吸附曲线及 BGF微球表面 Zeta 电位曲线

Fig.2 Adsorption isotherms of PSS on modified BGF particles and its Zeta potential

图 2 中 b 曲线为吸附 PSS 聚电解质后 BGF 微球的 Zeta 电位变化情况。 由图 2 可知，只要少量的PSS 就可以改变 BGF 微球的 Zeta 电位。 当 PSS 添加量达到 450 mg/L 后，BGF 微球的 Zeta 电位基本保持在 -38 mV 左右，说明此时 PSS 在 BGF 微球表面的吸附基本保持平衡。

《3.3 BGF 微球交替吸附阴/阳离子聚电解质及其表面 Zeta 电位的变化》

3.3 BGF 微球交替吸附阴/阳离子聚电解质及其表面 Zeta 电位的变化

采用静电自组装技术，在 BGF 微球表面交替吸附 PDADMAC/PSS。 图 3 是吸附不同层数聚电解质的 BGF 微球的表面 Zeta 电位变化曲线，从中可以看出，BGF 微球的表面 Zeta 电位随着吸附层数的增加而发生有规律的正负交替变化，这是由于吸附阳离子聚电解质的 BGF 微球在吸附第二层阴离子聚电解质时，发生了电荷过偿[13]，使 BGF 微球表面的电荷极性发生逆转，并为进行第三层阳离子聚电解质组装提供了基础。电荷过偿的交替发生，反映在Zeta 电位图 上，就是 Zeta 电位值 正负有序 地交替变化。

《图3》

图3 Zeta 电位随 BGF 微球表面聚电解质吸附层数的变化

Fig.3 Effect of layer number of polyelectrolyte on Zeta potential

《3.4 BGF 微球与 SiO2 磨粒的吸附》

3.4 BGF 微球与 SiO2 磨粒的吸附

离心试验表明，30 nm 粒径的 SiO2 磨粒在3 000 r/min离心转速下无法从抛光液中分离出来。混合磨粒 PE 0 -BGF/SiO2 在 pH =10.5 溶液中的TEM 照片如图 4a 所示。BGF 微球周围的 SiO2 磨粒数量很少，说明当 SiO2 磨粒与 BGF 微球的 Zeta 电位相差不大时，由于两者间呈现斥力势能，在抛光液中基本无法吸附在一起。 因此利用这两种粒子制备的抛光液可称做混合磨粒抛光液。

图 4b 是经离心分离后得到的 PE 1 -BGF/SiO2 复合磨粒在 pH =10.5 溶液中的 TEM 照片。 由图可知，BGF 微球表面毛糙，表面吸附的 SiO2 磨粒明显可见，说明吸附在 PE1 -BGF 微球表面的 SiO2 磨粒可抵抗离心作用力，形成了稳定可靠的覆盖层。 这是由于经阳离子聚电解质改性后的 PE1 -BGF 微球，Zeta 电位由负变正，与 SiO2 磨粒间的静电引力增大，吸附 SiO2 磨粒的能力增强。

图 4c 和 d 为 PE3 -BGF/SiO2 和 PE5 -BGF/SiO2 复合磨粒在抛光液中的 TEM 照片。与单层吸附的图 4b 相比，交替吸附 PDADMAC 和 PSS 后的 BGF 微球表面吸附 SiO2 磨粒的能力有所增强。 这是由于线状的聚电解质 PDADMAC 和 PSS 在 BGF 微球表面吸附后，微球表面变得粗糙，最终分散在这些表面的正电荷更容易吸附带负电的 SiO2 磨粒。 对比图 4c 与 d，吸附 3 层或 5 层聚电解质后，BGF 微球表面 SiO2 磨粒的吸附量并无明显区别。

《3.5 混合、复合磨粒的热重分析》

3.5 混合、复合磨粒的热重分析

图 5 是 BGF 微球和各种 PEi -BGF/SiO2 磨粒的热重曲线。 由图 5 可知，单一 BGF 微球的热失重约为 88 %，混合磨粒 PE0 -BGF/SiO2 的热失重约为87.4 %，说明只有极少量 SiO2 磨粒吸附到了未改

性的 BGF 微球表面。 吸附 1 层 PDADMAC 的复合磨粒 PE1 -BGF/SiO2 热失重量为 80.7 %，说明复合磨粒中 SiO2 磨粒的含量增加，改性后带正电的 BGF 微球吸附 SiO2 磨粒的能力增强。 吸附 3 层聚电解质 （PDADMAC/PSS /PDADMAC） 的复合磨粒 PE3 -BGF/SiO2 热失重量为 76.3 %，BGF 微球吸附 SiO2 磨粒的能力继续增强。 继续增加聚电解质的吸附层数，复合磨粒 PE 5 -BGF /SiO2 、PE7 -BGF/SiO2 的热失重分别为 77.6 %、77.2 %，与吸附 3 层聚电解质相比，复合磨粒中的 SiO2 磨粒含量变化不大。

《图4》

图4 不同复合磨粒的 TEM 照片

Fig.4 TEM images of different composite abrasives

《图5》

图5 不同聚电解质吸附层数 BGF/SiO2 复合磨粒 TG 曲线

Fig.5 TG curves of different polyelectrolyte multilayer modified BGF/SiO2 composite abrasives

《3.6 单一、混合和复合磨粒抛光液的抛光性能比较》

3.6 单一、混合和复合磨粒抛光液的抛光性能比较

利用碱性 SiO2 抛光液抛光铜，首先铜被抛光液中氧化剂氧化，在铜表面生成一层薄氧化层（CuO），接着氧化层被抛光液中的 SiO2 水溶胶磨料磨除而在溶液中形成 Cu2+ ，Cu2+ 与溶液中的有机碱络合而生成铜铵络离子[14]。 因此，当抛光液中 SiO2 磨料的浓度为零时，仅有抛光垫对铜表面的氧化层机械摩擦，材料去除率很低。 当抛光液中存在 SiO2 磨料时，磨料可将 Cu 表面凸起的氧化物膜磨去，促进新的铜表面被氧化腐蚀，材料去除率迅速提高。 图 6 是抛光液中游离 SiO2 磨粒浓度 变化时进行铜片抛光试验的结果。 由图 6 可知，传统抛光液去除游离 SiO2 磨粒后的材料去除率很低，说明抛光垫对腐蚀层的机械划擦作用较弱；抛光液中仅有 BGF 微球，其材料去除率也较低，说明 BGF 微球对腐蚀层的机械划擦作用也较弱，这与 BGF 微球数量远小于SiO2 磨粒数量有关； 抛光液中存在 PE 1 -BGF/SiO2 复合磨粒但没有游离 SiO2 磨粒时，材料去除率则有大幅提高，说明吸附在 BGF 微球表面的 SiO2 磨粒能明显促进对腐蚀层的机械划擦。 当抛光液中游离SiO2 磨粒的浓度增加到 5 %（质量分数）时，3 种抛光液的材料去除率均有大幅提高，说明游离于抛光液中的 SiO2 磨粒可以促进抛光接触区域的有效磨粒数，机械划擦作用进一步加强。 当抛光液中的游离 SiO2 磨粒浓度达到 15 % ~20 %（ 质量分数）时，3 种抛光液的材料去除率均可保持在较高值，并且PE1 -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液的材料去除率最大。

《图6》

图6 抛光液中游离 SiO2 磨粒浓度对铜去除率的影响

Fig.6 Effect of concentration of free silica abrasives on material removal rates of copper

图 7 是保持游离 SiO2 磨粒浓度为 15 %（ 质量分数）不变，利用 PE0 -BGF/SiO2 混合磨粒抛光液以及各种 PEi -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液进行铜片抛光试验的结果。 由图 7 可知，各种 PEi -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液的材料去除率均大 于 PE0 -BGF/SiO2 混合磨粒抛光液，说明吸附在 BGF 微球表面的 SiO2 磨粒促进了材料的去除作用。 结合复合磨粒的热重分析，PE1 -BGF/SiO2 复合磨粒的 SiO2 磨粒吸附量小于 PE3 -BGF/SiO2 复合磨粒，后者的材料去除率大于前者；吸附 3､5､7 层聚电解质后形成的复合磨粒吸附 SiO2 磨粒的能力差别不大，其材料去除率基本一致。

《图7》

图7 不同改性 BGF 微球的铜 CMP去除率

Fig.7 Effect of layer number of polyelectrolyte on material removal rates of copper

上述试验结果表明，利用混合或复合磨粒抛光液进行化学机械抛光时，无机磨粒、聚合物微球、抛光垫与工件间的相互作用影响 了材料去除率。 首先，利用混合磨粒或复合磨粒抛光时，抛光液中的聚合物微球在抛光压力的作用下嵌入到抛光垫突起中，在抛光垫和工件之间起到微型抛光垫的作用，微球与工件接触变形区域是主要的抛光接触区域。 由于聚合物微球与工件的接触区域要小于单一磨粒抛光时抛光垫突起与工件的接触区域 [15,16]，导致接触区域中的 SiO2 磨粒受到的抛光压力增大，磨粒嵌入工件腐蚀层的深度增大，材料去除率有提高的倾向。其次，利用混合磨粒抛光时，借助聚合物微球与工件的相对运动，游离在抛光液中的 SiO2 磨粒可以进入接触区域成为有效磨粒，实现材料的去除，如图 8a 所示；利用复合磨粒抛光时，吸附在复合磨粒表面的SiO2 磨粒分布密度远大于游离于抛光液中 的 SiO2 磨粒密度，这些磨粒一旦进入接触区域，就成为有效磨粒，对腐蚀层起到强的机械去除作用。 同时，抛光液中的游离 SiO2 磨粒也可以通过聚合物微球与工件的相对运动，卷入接触区域成为有效磨粒，如图 8b 所示。 最后，聚合物微球将抛光垫与工件隔开，有利于充沛的抛光液进入抛光区域，有利于抛光产物脱离腐蚀层并及时通过抛光液排出，避免异物划伤工件。上述 3 方面的原因导致复合磨粒具有较高的材料去除能力，且加工后工件的表面质量也较好。

《图8》

图8 利用不同抛光液的抛光示意图

Fig.8 Schematics of polishing using different slurries

经单一 SiO2 磨粒 抛光液、 PE0 -BGF/SiO2 混合磨粒抛光液和 PE3 -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液抛光后铜片的原子力显微镜 （ AFM）微观三维形貌如图 9a､b 和 c 所示。 利用单一 SiO2 磨粒抛光液对铜进行 CMP 试验时，在5 μm ×5 μm范围内铜片的表面粗糙度 Ra 在 1.1 ~3.7 nm 变化，峰谷值 Rpv 在 20 nm 以内（忽略铜片表面污点的影响，下同），表面可见严重的机械划伤；利用混合磨粒抛光液时，铜片的表面粗糙度 Ra 在 1.3 ~2.6 nm变化，峰谷值 Rpv 在 14 nm 以内，表面机械划伤有所减少；利用复合磨粒抛光液时，铜片的表面粗糙度 Ra 在 0.4 ~1.5 nm 变化，峰谷值 Rpv 在 10 nm 以内，表面划痕明显减少。从 AFM 测试结果可以推断：利用单一磨粒抛光液抛光铜片时，抛光产物不易通过抛光液脱离抛光区域，容易划伤较软的铜抛光面；利用混合磨粒抛光液抛光时，聚合物微球将抛光垫与铜片隔开，抛光产物能通过抛光液及时排出，划痕明显减少；利用复合磨粒抛光液抛光时，一方面抛光产物能通过抛光液及时排出，另一方面此时材料去除率较高，能在相同加工时间内更多地去除表面材料，消除表面原始划痕，并且快速去除在抛光过程中可能产生的新的划痕，最终使铜片表面划痕显著减少，Ra 和 Rpv 值最小。 因此，复合磨粒抛光液既具有高的材料去除能力，又能保证工件表面低的粗糙度及缺陷率，在金属互连层材料、低介电材料以及硅衬底等的化学机械抛光中具有应用价值。

《图9》

图9 不同抛光液抛光后铜片表面 AFM微观形貌

Fig.9 AFM images of copper wafer surface polished with different slurries

《4 结语》

4 结语

1) 在 pH =10.5、浓度 3.0 %（质量分数） 的溶液中，BGF 微球对阳离子型聚电解质 PDADMAC 的饱和吸附量为 1.939 mg/g，继续吸附阴离子型聚电解质 PSS 的饱和量为 4.220 mg/g。BGF 微球表面交替吸附 PDADMAC/PSS 后，其表面 Zeta 电位随着吸附层数的增加而发生有规律的正负交替变化。

2) 经聚电解质改性的 BGF 微球吸附无机 SiO2 磨粒的能力提高。 TEM 照片表明吸附 SiO2 磨粒后的 BGF 微球表面毛糙，SiO2 磨粒覆盖层明显可见。TG 分析表明，聚电解质改性可提高 BGF 微球吸附 SiO2 磨粒的能力，3 层聚电解质（ PDADMAC/PSS/PDADMAC）改性后 的 BGF 微球能吸附约 11.7 % （质量分数）的 SiO2 磨粒，更多层聚电解质改性后的BGF 微球吸附 SiO2 磨粒的能力变化不显著。

3) 传统单一 SiO2 磨粒抛光液的铜材料去除率

为 264 nm/min，PE0 -BGF/SiO2 混合磨粒抛光液的铜材料去除率为 348 nm/min，PE3 -BGF/SiO2 复合磨粒抛光液的铜材料去除率为 476 nm/min。 试验结果表明，吸附在聚合物微球表面的 SiO2 磨粒和游离的 SiO2 磨粒在抛光中均起 到材料去除作用。 经上述 3 种抛光液抛光后的铜表面，在 5 μm ×5 μm 范围内，表面粗糙度 Ra 分别小于 3.7 nm､2.6 nm 和 1.5 nm，峰谷值 Rpv 分别小于 20 nm､14 nm 和 10 nm，复合磨粒抛光液改善铜片的表面质量最为显著。