资源类型

期刊论文 3

年份

2007 1

2001 1

2000 1

关键词

7815 1

T试剂 1

云南 1

可持续发展 1

杂质行为 1

硅外延片 1

硅片 1

绝缘体上硅 1

缺陷控制 1

萃取 1

表面质量 1

1

锗产业 1

锗硅 1

锗资源 1

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云南省产业发展研究

雷霆,王少龙

《中国工程科学》 2007年 第9卷 第11期   页码 103-109

摘要:

是典型的分散元素,是除硅以外最重要的半导体材料,在红外光学、光纤通信、化学催化剂、太阳 能电池、生物医学、电子器件等各领域都有广泛的应用地球上资源较贫乏,我国的储量居世界第一位。 云南省储量占全国储量的40%左右,并拥有红外光学技术研发的基础,对我国产业具有十分重要的意 义。文章具体分析了云南省产业发展的外部和内部环境,提出了云南省2006~2020年产业发展的方向 和总体目标,探讨了产业链、产品定位、产业布局、重点发展的项目和支撑体系。

关键词: 资源     产业     可持续发展     云南    

从硫化矿高酸浸出的硫酸锌溶液中萃取提全流程研究

包福毅,方军,朱大和,陈世明,黄华堂,李学全,刘韬,王侃,黄艳芬

《中国工程科学》 2001年 第3卷 第12期   页码 58-67

摘要:

研究在硫酸锌溶液中用萃取法提取,萃取剂为7815(氧肟酸),稀释剂为磺化煤油,添加剂为T试剂,反萃剂为NaOH,原料液为云南会泽铅锌矿硫化锌高温、高酸、高铁浸出溶液;工艺就萃取体系的选择,金属的萃取平衡,工艺参数的确定,工艺流程的设计以及工艺流程的串级实验等进行了深入研究,取得了萃取率大于96%,反萃率大于97%,精矿含大于30%的结果。

关键词: 萃取         7815     T试剂    

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年 第2卷 第1期   页码 7-17

摘要: 同时还介绍了外延硅、硅及绝缘体上硅(SOI)等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势,展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。

关键词: 硅片     硅外延片         绝缘体上硅     杂质行为     缺陷控制     表面质量    

标题 作者 时间 类型 操作

云南省产业发展研究

雷霆,王少龙

期刊论文

从硫化矿高酸浸出的硫酸锌溶液中萃取提全流程研究

包福毅,方军,朱大和,陈世明,黄华堂,李学全,刘韬,王侃,黄艳芬

期刊论文

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

期刊论文