资源类型

期刊论文 3

年份

2023 1

2000 2

关键词

NaOH分解 1

抑制杂质 1

杂质行为 1

硅外延片 1

硅片 1

碳捕集、利用与封存；碳源杂质；腐蚀环境特点；腐蚀影响因素；超临界CO2 1

绝缘体上硅 1

缺陷控制 1

表面质量 1

钨冶金 1

锗硅 1

展开 ︾

检索范围：

排序： 展示方式：

碳捕集利用与封存中的金属腐蚀问题研究： 进展与挑战

向勇 ,原玉 ,周佩 ,刘广胜 ,吕伟 ,李明星 ,张春霞 ,周庆军 ,赵雪会 ,闫伟

《中国工程科学》 2023年 第25卷 第3期   页码 197-208 doi: 10.15302/J-SSCAE-2023.07.026

摘要： 吸收剂降解机理及降解产物对腐蚀过程的影响较为复杂，部分降解产物对金属腐蚀有抑制作用；密相CO2输送管道的内腐蚀问题不容忽视，控制水分含量是控制该腐蚀问题的关键；CO2驱油利用与封存系统井筒管材在超高CO2分压、碳源杂质最后，本文对未来需迫切开展的研究方向进行了展望，包括不同碳源杂质对各子系统的腐蚀影响研究、长期封存条件下井筒区域材料降解规律研究以及CCUS系统腐蚀防护技术研究等。

关键词： 碳捕集、利用与封存；碳源杂质；腐蚀环境特点；腐蚀影响因素；超临界CO2    

HTML PDF 收藏

钨矿物原料NaOH分解过程中抑制杂质的研究

李洪桂,李运姣,孙培梅,刘茂盛

《中国工程科学》 2000年 第2卷 第3期   页码 59-61

摘要：

从理论上较全面地研究了钨矿物原料在NaOH分解过程中直接用白钨矿及其分解产物Ca(OH)2作为抑制剂，抑制磷、砷、硅等杂质浸出的可能性及生成物的形态。

关键词： 钨冶金     NaOH分解     抑制杂质    

HTML PDF 收藏

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年 第2卷 第1期   页码 7-17

摘要：

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。

关键词： 硅片     硅外延片     锗硅     绝缘体上硅     杂质行为     缺陷控制     表面质量    

HTML PDF 收藏

标题 作者 时间 类型 操作

碳捕集利用与封存中的金属腐蚀问题研究： 进展与挑战

向勇 ,原玉 ,周佩 ,刘广胜 ,吕伟 ,李明星 ,张春霞 ,周庆军 ,赵雪会 ,闫伟

期刊论文

钨矿物原料NaOH分解过程中抑制杂质的研究

李洪桂,李运姣,孙培梅,刘茂盛

期刊论文

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

期刊论文