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二氧化碳 6

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学术论坛 3

微波辐射计 3

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2023全球十大工程成就 2

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SOFC 2

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两种典型结构强流自箍缩二极管技术研究

杨海亮,邱爱慈,孙剑锋,高屹,苏兆锋,李静雅,孙凤举,梁天学,尹佳辉,丛培天,黄建军,任书庆

《中国工程科学》 2009年第11卷第11期页码 70-78

摘要：

主要介绍了箍缩聚焦二极管和自箍缩离子束二极管的研究进展。重点介绍了近几年发展的阳极杆箍缩聚焦二极管的理论模拟和实验结果，在“闪光二号”加速器和2 MV脉冲功率驱动源上进行了阳极杆箍缩二极管实验，二极管输出电压1.8~2.1 MV,电流在“闪光二号”加速器上开展了高功率离子束的产生和应用研究，给出了自箍缩反射离子束二极管的结构和工作原理，实验获得的离子束峰值电流~160 kA，离子的峰值能量~500 keV，开展了利用高功率质子束轰击

关键词：阳极杆箍缩二极管离子束二极管 X射线高功率离子束箍缩聚焦

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蓝色发光二极管的开发和实际应用

Hideaki Koizumi

《工程（英文）》 2015年第1卷第2期页码 167-168 doi: 10.15302/J-ENG-2015064

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我国新型显示关键材料发展战略研究

高伟男,毕勇,刘新厚,许祖彦

《中国工程科学》 2020年第22卷第5期页码 44-50 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.05.007

摘要：

新型显示作为电子信息领域为数不多的千亿美元级产业，是信息化、智能化时代我国战略性新兴产业重点发展方向之一。本文针对新型显示关键材料与工艺在新型显示技术和产业发展进程中的战略性、支撑性和保障性作用开展论述，梳理了具有代表性的新型显示关键材料的研究现状与发展趋势，凝练了我国相关领域在材料技术和应用技术方面存在的问题，提出了我国新型显示关键材料发展目标和重点方向。研究建议：抓牢新一轮显示技术升级与产业转型的重大机遇，从国家经济发展全局的高度、全产业链生态的角度出发，以整机应用为牵引，以核心材料为突破口，打造新型显示创新平台，构建高效的技术创新体系；聚合优势力量，突破产业化发展中的核心共性关键材料与工艺问题，完善产业协同创新生态。从技术、市场、资金、政策等多个角度完成了新型显示创新平台的可行性分析，以期支持我国新型显示产业“从跟随到引领”的跨越式发展。

关键词：新型显示有机发光二极管微米级发光二极管激光显示关键材料

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低调制度下二极管箝位型多电平逆变器新型PWM控制方法

辛想,张庆范,胡顺全,李瑞来

《中国工程科学》 2007年第9卷第10期页码 91-96

摘要：

二极管箝位型多电平逆变器作为一种应用于高压大功率变换场合的变换器，其PWM控制技术是研究的核心内容之一。仿真结果表明，这种方法可以提高二极管箝位型逆变器在低调制度下的器件利用率，使得逆变器在低调制度下工作于较高频率。

关键词：二极管箝位型逆变器载波PWM 低调制度冗余状态

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用二极管统一构建两个n阶电路网络 Research Article

林小燕,谭志中

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第2期页码 289-298 doi: 10.1631/FITEE.2200360

摘要：本文通过二极管将两个不同的n阶拓扑电路网络连接起来，建立起一个统一的网络模型，这是一个以前没有研究解决的新问题。该网络模型不仅包含五个电阻元件，还包含二极管器件，因此该网络包含多种不同的网络类型。

关键词：复杂网络；等效变换；非线性差分方程；等效电阻

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分子电子学的发展 Review

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

《工程（英文）》 2018年第4卷第6期页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001

摘要：本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。

关键词：分子电子学分子晶体管分子二极管分子电容器分子导线石墨烯

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用于5.8 GHz WBAN应用的方向图可重构天线阵列

杨凌升,王斌,李雅洁

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第9期页码 1357-1365 doi: 10.1631/FITEE.2200542

摘要：通过控制集成在可控网络中的PIN二极管，可以获得与人体表面相切的全向辐射图和与人体表面垂直的定向辐射图。我们测量了阵列安装在人体或前臂假体上时的阻抗带宽、辐射模式和增益，实验结果与仿真结果一致。

关键词：无线体域网方向图可重构 PIN二极管控制网络比吸收率

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二极管泵浦的高重频脉冲固体激光器研究

周寿桓,姜东升

《中国工程科学》 2000年第2卷第1期页码 53-56

摘要：

文章报道二极管泵浦的1 000Hz高重频、脉冲固体激光器的实验研究结果：双向端面泵浦，每个脉冲输出43mJ，近TEM₀₀模，光-光转换效率η=43%。

关键词：脉冲固体激光器端面泵浦高重复频率

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光无线能量传输技术综述 Review

Syed Agha Hassnain MOHSAN1, Haoze QIAN2, Hussain AMJAD3

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第6期页码 767-800 doi: 10.1631/FITEE.2100443

摘要：通过激光二极管（LDs）对操作设备或电池远程供电有很多优点。远程LDs可以消除额外携带电池的负担，同时可以通过减少电池更换与充电的时间来节省任务时间。本文概述了几种OWPT技术，包括光波束赋形、分布式激光充电（DLC）、自适应分布式激光充电（ADLC）、同步无线信息与功率传输（SLIPT）、物对物（T2T）OWPT和高强度激光能量束（HILPB），还论述了

关键词：无线能量传输；光无线能量传输；分布式激光充电；激光二极管；太阳能电池

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同质集成可见光互联芯片 Article

Wei CAI, Bing-cheng ZHU, Xu-min GAO, Yong-chao YANG, Jia-lei YUAN, Gui-xia ZHU, Yong-jin WANG, Peter GRÜNBERG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第9期页码 1288-1294 doi: 10.1631/FITEE.1601720

摘要：本文采用晶圆级微纳加工技术，基于硅衬底氮化镓晶圆，提出并制备了同质集成发射极、集电极和基极的可见光互联芯片。利用InGaN/GaN量子阱二极管器件发光探测共存的特性，芯片的发射极和集电极采用相同的量子阱结构，并通过相同的制备工艺实现。发射极和集电极之间通过悬空的光波导连接，实现器件之间的光互联。同质集成可见光互联芯片集成两个共基极的光致晶体管，实现芯片内可见光的发射、传输和探测功能。该可见光互联芯片可以广泛应用于光致类脑神经形态芯片、芯片内可见光通信、智能显示、微纳成像及光传感等领域。

关键词：同质集成；量子阱二极管；可见光互联；发光探测共存现象

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纳米测量仪器和纳米加工技术

姚骏恩

《中国工程科学》 2003年第5卷第1期页码 33-37

摘要：叙述了发展纳米测量和纳米加工技术的两个主要途径：一是发展传统技术，主要是电子显微术以及最近发展起来的聚焦离子束（FIB）- 电子束数控加工中心；二是创造新的测量仪器，建立新原理和新方法，介绍了国内外电子显微镜和扫描探针显微镜这两类纳米测量分析仪器的发展

关键词：纳米科技纳米测量电子显微镜扫描探针显微镜聚焦离子束-电子束装置仪器生产

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四极杆-线形离子阱串联质谱系统及临床生物标志物分析 Article

方向, 谢洁, 楚士颖, 江游, 安育廷, 李畅, 龚晓云, 翟睿, 黄泽建, 裘春玲, 戴新华

《工程（英文）》 2022年第16卷第9期页码 56-64 doi: 10.1016/j.eng.2020.10.021

摘要：本研究自主研制了四极杆-线形离子阱（quadrupole-linear ion trap, Q-LIT）串联质谱仪。四极杆筛选目标母离子，线形离子阱同时注入、捕获和碎裂，有效降低空间电荷效应，富集目标子离子，提升灵敏度。采用电喷雾离子源（electrospray ionization, ESI），选择反应监测和正离子扫描模式。质量范围为m/z 195~2022。

关键词：线形离子阱四极杆空间电荷效应碰撞诱导解离生物标志物

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8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词：绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度沟槽栅 8英寸轨道交通

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基于最小二乘法的EAST托卡马克光学等离子体边缘重建 None

Hao LUO, Zheng-ping LUO, Chao XU, Wei JIANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2018年第19卷第9期页码 1124-1134 doi: 10.1631/FITEE.1700041

摘要：重建等离子体位形是托卡马克装置中一个非常重要的课题。平衡与反演编码（equilibrium and fitting, EFIT）是部分托卡马克中常用的等离子体边缘重建方法。提出一种光学等离子体边缘重建算法，将EFIT编码结果作为标准值学习光学重建模型。在边缘提取方面，传统边缘检测方法不能提取较清晰的等离子体边缘。因此，提出一种基于全局对比度的方法在图像平面提取等离子体边缘。这种方法对光照有很好的鲁棒性。用一个同阶多项式和一个转换矩阵拟合提取等离子体边缘和EFIT重建等离子体边缘。为在没有相机标定的前提下获取转换矩阵，用最小二乘法最小化光学边缘和EFIT重建边缘误差，得到一个数学模型，该数学模型将提取的等离子体边缘从一个图像平面转换到托卡马克极向平面。一旦获得这个转换矩阵，便可在捕获的任意图像重建光学等离子体边缘。展示了所提方法和EFIT之间的误差，并讨论不同多项式阶数的实验结果。

关键词：光学等离子体重建；边缘检测；全局对比度；最小二乘法；EAST托卡马克