Search | Engineering

订阅投稿

首页工程期刊工程焦点工程成就工程前沿关于我们 English

资源类型

期刊论文 148

会议视频 17

会议信息 7

年份

2023 19

2022 17

2021 29

2020 16

2019 10

2018 9

2017 12

2016 3

2015 9

2014 6

2013 4

2012 1

2011 2

2010 2

2009 6

2008 3

2007 3

2006 1

2005 4

2004 1

展开︾

关键词

高分子材料 9

乳液 2

分子对接 2

分子成像 2

分子育种 2

分子设计 2

分子诊断 2

力常数 2

合成 2

基因组 2

定点突变 2

扬矿管 2

深海采矿 2

绿色化工 2

键能 2

键长 2

2022全球工程前沿 1

2035 1

2型糖尿病 1

展开︾

检索范围：

排序：展示方式：

分子电子学的发展 Review

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

《工程（英文）》 2018年第4卷第6期页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001

摘要：

分子电子学（moletronics）是用分子作为单元对分子电子学器件进行装配。这是一个包含物理、化学、材料科学及工程等学科的多学科交叉领域。分子电子学致力于使硅元件尺寸进一步减小。科学家已经在等效分子器件方面进行了诸多探索性研究。分子电子学在电子以及光子应用中逐渐产生影响，如导电聚合物、光色材料、有机超导体、电致变色材料等。为了满足减小硅片尺寸的需求，研究人员有必要将这种新型技术引入到分子层面。虽然分子层面仪器的实验验证和建模分析是一项艰巨的任务，但分子电子学领域依然出现了突破性进展。本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。本文简要讨论未来的发展趋势以及介绍各种基于石墨烯已取得一定研究成果的分子仪器。

关键词：分子电子学分子晶体管分子二极管分子电容器分子导线石墨烯

HTML PDF 收藏

8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词：绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度沟槽栅 8英寸轨道交通

HTML PDF 收藏

基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077

摘要：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）可替代传统晶体管，尤其在基于近似计算的容错数字电路中。本文结合CNTFET技术和栅极扩散输入（GDI）技术，提出3种分别具有6、6和8个晶体管的基于近似计算的全加器。采用基于非支配排序的遗传算法II，将管数和手性向量作为变量，对所提单元进行性能寻优。在电路晶体管中使用的动态阈值技术修正了可能出现的输出压降。所提电路出色的电路性能和差错率使其可以作为复杂算术电路（如乘法器）的最低有效位（LSB）部分。

关键词：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算

HTML PDF 收藏

在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article

Hadi JAHANIRAD

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084

摘要：现场可编程门阵列（FPGA）器件由于其低设计成本和可重构性，在电子系统中得到广泛应用。在手持电子系统等电池受限的应用中，低功耗FGPA的需求很大。在现代集成电路技术中，泄漏功率几乎相当于动态功率，因此降低泄漏功率可以显著节省能耗。我们提出一种基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA高效架构，其中每个模块定义了两种模式（活动模式和休眠模式）。在休眠模式下，模块消耗超低泄漏功率。当模块输出对新输入向量的评估时，模块模式由休眠模式动态改变为活动模式。在产生正确的输出后，该模块返回到休眠模式。所提电路设计在活动模式和休眠模式下都降低了泄漏功耗。通过在FPGA-SPICE软件上实现北卡罗来纳州微电子中心（MCNC）基准电路，将所提出的低泄漏FPGA体系结构与最先进的体系结构进行比较。仿真结果表明，休眠模式下泄漏功耗降低约95%。此外，与以往的最佳设计相比，总功耗（泄漏功耗+动态功耗）降低15%以上。平均面积开销（4.26%）小于其他电源门控设计。

关键词：现场可编程门阵列（FPGA）；泄漏功率；电源门控；晶体管级电路设计

HTML PDF 收藏

高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵野,陆生礼

《中国工程科学》 2008年第10卷第2期页码 72-78

摘要：

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明，该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。

关键词：垂直双扩散MOS场效应晶体管静态物理模型解析方法

HTML PDF 收藏

基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器 Article

高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东

《工程（英文）》 2023年第21卷第2期页码 61-74 doi: 10.1016/j.eng.2022.06.018

摘要：

本文介绍了一种基于横向运动栅极场效应晶体管（LMGFET）的新型微型力传感器。文中提出了一种用于小型LMGFET器件性能评估的电气模型，与以前的模型相比，其具有更高精度。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65 μA∙nN−1，可与垂直可动栅极场效应晶体管（VMGFET）器件相媲美，器件的非线性度提高了0.78%，测量范围扩大为±5.10

关键词：微力传感器横向运动栅极场效应管柔性光刻胶SU-8 生物医学显微操作

HTML PDF 收藏

结合选择性和数字湿法腐蚀的InAlAs/InGaAs InP基HEMTs两步栅槽腐蚀工艺 Article

Ying-hui ZHONG, Shu-xiang SUN, Wen-bin WONG, Hai-li WANG, Xiao-ming LIU, Zhi-yong DUAN, Peng DING, Zhi JIN

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第8期页码 1180-1185 doi: 10.1631/FITEE.1601121

摘要：本文针对InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管（HEMTs）提出了一种结合高选择性湿法腐蚀和非选择性数字湿法腐蚀的两步栅槽腐蚀工艺。

关键词：高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistors HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀

HTML PDF 收藏

中国功能晶体研究进展 Review

王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton

《工程（英文）》 2015年第1卷第2期页码 192-210 doi: 10.15302/J-ENG-2015053

摘要：

功能晶体是现代科学技术发展的基础材料之一，在当前信息时代发挥着重要和关键的作用。本文总结了若干功能晶体的研究进展，综述了中国功能晶体的现状及重大成就和重要应用，讨论了功能晶体面临的挑战和机遇，提出了可能的发展方向。

关键词：功能材料，激光晶体，非线性光学晶体，闪烁晶体，弛豫型铁电晶体，半导体

HTML PDF 收藏

制药工业中结晶过程的最新进展 Review

高振国, Rohani Sohrab, 龚俊波, 王静康

《工程（英文）》 2017年第3卷第3期页码 343-353 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.022

摘要：本文中，我们综述了制药工业中晶体工程以及结晶过程设计和控制的最新研究进展，系统地总结了理解和开发新型晶体如共晶、多晶型、溶剂化物的方法，包括一些重要的进展，如第一个共晶药物Entresto (诺华) 的诞生以及

关键词：结晶晶体工程多晶型结晶过程设计和控制晶体粒度分布

HTML PDF 收藏

饲料的分子结构与动物营养物质利用率和有效性的关系——一种新方法

俞培强, Luciana L. Prates

《工程（英文）》 2017年第3卷第5期页码 726-730 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.007

摘要：本文介绍了以同步加速器为基础的先进生物分析技术作为一项崭新的研究工具，在研究由多种处理（如基因修饰、基因沉默、饲料的热加工处理、生物燃料加工等）诱导的饲料分子结构变化与动物消化吸收饲料营养物质的关系方面的潜在应用与传统的湿化学法不同，同步辐射技术不会破坏饲料内在的分子结构。尖端和先进的同步加速器光源（是日光的上百万倍）能够以超高分辨率在细胞和分子水平上探测生物组织的内在结构。

关键词：内部分子结构同步辐射应用分子营养饲料科学技术分子成像养分消化与吸收

HTML PDF 收藏

智能高分子开关膜的制备方法研究进展

谢锐,刘壮,巨晓洁,汪伟,褚良银

《中国工程科学》 2014年第16卷第12期页码 94-101

摘要：

智能高分子开关膜是将智能高分子与非刺激响应型基材膜结合而成。由于智能高分子能够响应外界刺激发生亲疏水性转变和构象变化，智能高分子开关膜也能根据外部刺激改变自身的表面/界面特性、渗透通量或选择透过性。智能高分子膜被用作抗污染滤膜、亲和分离、酶反应的起/停控制以及控制释放等。智能高分子开关膜的制备方法直接影响其环境刺激响应特性、稳定性和可重复制备性等。因此，系统介绍了基材膜修饰法、基材修饰成膜法和共混成膜法等3种智能高分子开关膜制备方法的定义、分类、机理和研究进展，并对比了3种方法的优缺点。基材膜修饰法研究最多，而共混成膜法最有望用于大规模制备智能高分子膜。本文以期为高效制备具有稳定、优良响应特性的智能高分子开关膜提供指导和参考。

关键词：智能高分子膜智能凝胶智能线性高分子制备方法相转化法

HTML PDF 收藏

基于碳纳米管场效应管的新型三元半加器及乘法器 Article

Sepehr TABRIZCHI,Nooshin AZIMI,Keivan NAVI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第3期页码 423-433 doi: 10.1631/FITEE.1500366

摘要：碳纳米管场效应管（CNTFETs）被认为是硅晶体管可行的替代方案。将CNTFETs与MVL结合，可以得到更快、更灵活的独特设计方案。本文利用微纳技术和三元逻辑设计出了新型的半加器和乘法器。

关键词：碳纳米管场效应管设计；三元；半加器；乘法器；多值逻辑

HTML PDF 收藏

高分子材料的智能制造平台——高分子材料基因工程 Perspective

高梁, 王立权, 林嘉平, 杜磊

《工程（英文）》 2023年第27卷第8期页码 31-36 doi: 10.1016/j.eng.2023.01.018

摘要：

高性能高分子材料是高新科技和先进制造业的基石。高分子材料基因工程正在成为高分子材料智能制造的重要平台。然而，高分子材料基因工程的发展仍处于起步阶段，许多问题亟待解决。本文阐述了高分子材料基因工程的概念，总结了最新研究成果，并强调了该领域的重要挑战和发展前景。特别强调了高分子材料的性能预估方法，包括性能代理量预测和机器学习性能预测。最后，讨论了高分子材料基因工程在先进复合材料、通信和集成电路等领域所亟需的高性能高分子材料创制方面的潜在工程应用前景。

关键词：高分子材料材料基因组方法机器学习性能预测理性设计

HTML PDF 收藏

决定晶体硅太阳电池工作状态的独立参量的确定

丁金磊,程晓舫,翟载腾,查,茆美琴

《中国工程科学》 2007年第9卷第4期页码 94-98

摘要：

从晶体硅太阳电池功率全微分方程出发，结合开路电压和功率随温度、日照变化的实验事实，研究影响晶体硅太阳电池工作状态的各参量的独立性。

关键词：晶体硅太阳电池功率全微分参量独立性串联内阻

HTML PDF 收藏

一种新型葡激酶分子的设计基因构建表达纯化及性质研究

宋钢,于敏,莫炜,宋后燕

《中国工程科学》 2000年第2卷第11期页码 68-72

摘要：为了探究聚合体的形成机制以研制不易聚合的新型葡激酶分子，在葡激酶X射线晶体衍射结构模型的基础上，采用分子对接软件GRAMM V1.03，以高分辨率整体对接方式预测了葡激酶二聚体可能的结合区。根据模型设计了旨在降低聚合能力的葡激酶突变体RGD-Sak,将Fill置换为D111，并且改变K109为R109，恰好使分子中形成RGD结构，使新型分子还可能具有抑制血小板聚集作用。RGD-Sak以包涵体形式存在，包涵体经洗涤，8 mol/L尿素溶解，稀释复性，离子交换色谱一步分离得到电泳纯的RGD-Sak,纯度达95%以上，分子量与理论值相符，比活性5×10^{此研究为研制防止二聚体形成的新型葡激酶分子打下了基础。}

关键词：葡激酶二聚体分子对接分子设计定点突变