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李鹏,黎明,吴岱,周征,唐淳
《中国工程科学》 2020年 第22卷 第3期 页码 35-41 doi: 10.15302/J-SSCAE-2020.03.006
自由电子激光(FEL)光源是一种基于电子直线加速器的大型科研装置,广泛应用于凝聚态物理、先进材料与表面物理、原子分子物理、化学、生物等基础科学研究研究提出了我国FEL 技术的发展思路,在2035 年前着力在长波波段FEL、X 射线FEL、新型FEL、基于FEL 的极紫外(EUV)光刻光源等方面取得突破。
采用白光X射线源和模拟阵列能量色散阵列探测器的高通量粉末衍射技术 Article
汪晓平, 董伟伟, 张鹏, 唐浩琪, 张澜庭, 杨铁莹, 刘鹏, 汪洪, 项晓东
《工程(英文)》 2022年 第10卷 第3期 页码 81-88 doi: 10.1016/j.eng.2021.05.023
高压纳米X射线成像技术的应用 Article
毛立文, 林昱, 刘宜晋, 刘锦
《工程(英文)》 2019年 第5卷 第3期 页码 479-489 doi: 10.1016/j.eng.2019.01.006
含能材料的新型X射线和光学诊断学研究进展 Review
张抑扬, 陈森, 蔡洋, 卢磊, 范端, 史进春, 黄俊宇, 罗胜年
《工程(英文)》 2020年 第6卷 第9期 页码 992-1005 doi: 10.1016/j.eng.2020.06.019
高压多晶X射线衍射方法的发展及其在地球深部研究中的应用 Review
张莉, 苑洪胜, 孟悦, 毛河光
《工程(英文)》 2019年 第5卷 第3期 页码 441-447 doi: 10.1016/j.eng.2019.02.004
陈良惠
《中国工程科学》 1999年 第1卷 第3期 页码 75-78
光电子技术发展推动着信息时代的变革,作为其心脏的半导体光电子器件正带动着一个新兴产业--光电子产业。
量子阱激光器是半导体激光器发展的第三里程碑。因为其性能优越,成为一代理想的激光器,在光通信、光存储、光显示等方面得到应用。
目前,中国光电子产业已具雏形,已有多家光通信器件制造公司形成年产亿元以上产值。而以光存储、光显示为代表的非通信光电子器件发展势头极其迅猛。其国产化带动数字音像和数字存储产业、全色显示屏、汽车灯、交通灯以至固体白光灯等产业,年产值规模可望在百亿以上。
基于X射线脉冲星相位增量和TDOA的初轨确定方法 Article
Rong JIAO,Lu-ping XU,Hua ZHANG,Cong LI
《信息与电子工程前沿(英文)》 2016年 第17卷 第6期 页码 543-552 doi: 10.1631/FITEE.1500365
鲁金忠,张永康,孔德军,任旭东,邹世坤,王西昌
《中国工程科学》 2007年 第9卷 第5期 页码 72-76
利用CO2激光相变热处理技术对TC4钛合金电子束焊缝进行了处理,研究了激光功率、光斑直径、辅助气体等激光工艺参数对电子束焊缝残余应力分布的影响实验结果表明,激光相变热处理改善了焊缝残余应力的分布,使焊缝表面残余应力由拉应力转变为压应力,其压应力值随着激光功率的增加而增大,随着激光光斑直径的减小而增加;辅助气体为O2时残余压应力值比辅助气体为N2大30~40MPa,激光相变热处理显著提高了TC4钛合金电子束焊缝的残余压应力及其使用寿命。
利用碱金属离子效应进行PEDOT:PSS 热电性能工程设计 Article
Jingjin Dong, Jian Liu, Xinkai Qiu, Ryan Chiechi, L. Jan Anton Koster, Giuseppe Portale
《工程(英文)》 2021年 第7卷 第5期 页码 647-654 doi: 10.1016/j.eng.2021.02.011
超短脉冲激光制造及表面加工微米器件 Review
于泳超, 白石, 王树同, 胡安明
《工程(英文)》 2018年 第4卷 第6期 页码 779-786 doi: 10.1016/j.eng.2018.10.004
超短脉冲激光在材料加工方面具有独特的优势。其对焦点之外区域的热影响效应非常有限,使超短脉冲激光可被应用于微米甚至纳米尺寸的精密加工。另外,非线性多光子效应使超短脉冲激光可以加工多种透明材料,包括玻璃以及透明高分子材料。基于这些特点,我们利用激光直写技术在高分子衬底上成功制造出了具有三维(3D)结构的高性能微型超级电容器(MSC),在0.1 mA·cm–2的电流密度下表现出另外,在3D 结构玻璃微流体通道内由全飞秒激光加工出了具有2D周期性结构的纳米金属表面,可用于实时表面增强拉曼散射(SERS)的检测。全飞秒激光加工过程包括激光烧蚀、激光还原和激光诱导表面纳米工程。这些工作证明了超短脉冲激光在表面精密加工中的巨大潜力。
用高光谱发光法研究Cu(Inx,Ga1–x)Se2 (CIGS)模块中由P1引起的功率损耗的成因 Article
César Omar Ramírez Quiroz, Laura-Isabelle Dion-Bertrand, Christoph J. Brabec, Joachim Müller, Kay Orgassa
《工程(英文)》 2020年 第6卷 第12期 页码 1395-1402 doi: 10.1016/j.eng.2019.12.019
在本文中,我们利用了高光谱高分辨率光致发光映射技术,这是一个强大的工具,可用于选择和优化在Cu(Inx,Ga1-x)Se2(CIGS)模块上对子电池进行图案化互连的激光烧蚀工艺。通过扫描电子显微镜(SEM)比较了P1边缘的横截面的形貌,我们进一步合理化产生这种效应的起因,但无法用厚度变化解释光发射的减少。我们还研究了激光诱导对CIGS沉积后的P1图案线带来的损伤。然后,我们首次记录了短距离损坏区域,该区域与在激光路径上应用的光学孔径无关。我们的发现能更好地理解P1引起的功率损耗,并为改进与行业相关的模块互连方案提供了新的见解。
关键词: Cu(Inx Ga1–x)Se2 电池到模块的效率差距 由P1引起的功率损耗 高光谱光致发光 激光烧蚀短程热效应
标题 作者 时间 类型 操作
利用碱金属离子效应进行PEDOT:PSS 热电性能工程设计
Jingjin Dong, Jian Liu, Xinkai Qiu, Ryan Chiechi, L. Jan Anton Koster, Giuseppe Portale
期刊论文