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期刊论文 607

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2007 28

2006 19

2005 22

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关键词

设计 20

优化设计 11

三峡工程 9

增材制造 9

多目标优化 7

施工 5

机器学习 5

材料设计 5

创新设计 4

稳健设计 4

3D打印 3

协同设计 3

DSM（设计结构矩阵） 2

D区 2

三塔悬索桥 2

仿真 2

创新 2

医院中子照射器 2

南京长江第四大桥 2

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检索范围：

排序：展示方式：

在现场可编程门阵列中用于降低泄漏功率的动态电源门控 Research Article

Hadi JAHANIRAD

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 582-598 doi: 10.1631/FITEE.2200084

摘要：现场可编程门阵列（FPGA）器件由于其低设计成本和可重构性，在电子系统中得到广泛应用。在手持电子系统等电池受限的应用中，低功耗FGPA的需求很大。在现代集成电路技术中，泄漏功率几乎相当于动态功率，因此降低泄漏功率可以显著节省能耗。我们提出一种基于静态随机存取存储器（SRAM）的FPGA高效架构，其中每个模块定义了两种模式（活动模式和休眠模式）。所提电路设计在活动模式和休眠模式下都降低了泄漏功耗。通过在FPGA-SPICE软件上实现北卡罗来纳州微电子中心（MCNC）基准电路，将所提出的低泄漏FPGA体系结构与最先进的体系结构进行比较。此外，与以往的最佳设计相比，总功耗（泄漏功耗+动态功耗）降低15%以上。平均面积开销（4.26%）小于其他电源门控设计。

关键词：现场可编程门阵列（FPGA）；泄漏功率；电源门控；晶体管级电路设计

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8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词：绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度沟槽栅 8英寸轨道交通

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基于特定最低有效位动态阈值碳纳米管场效应晶体管的高效优化近似栅极扩散输入全加器 Research Article

Ayoub SADEGHI1,Razieh GHASEMI2,Hossein GHASEMIAN3,Nabiollah SHIRI1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2023年第24卷第4期页码 599-616 doi: 10.1631/FITEE.2200077

摘要：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）可替代传统晶体管，尤其在基于近似计算的容错数字电路中。本文结合CNTFET技术和栅极扩散输入（GDI）技术，提出3种分别具有6、6和8个晶体管的基于近似计算的全加器。采用基于非支配排序的遗传算法II，将管数和手性向量作为变量，对所提单元进行性能寻优。结果表明，在电路面积有所增加的情况下，功耗延时积性能指标提升约50%。采用蒙特卡罗方法（MCM）和32 nm CNTFET技术，评估所提电路在制造过程中的工艺偏差和稳定性。与文献中的方法相比，所提电路具有更高稳定性。在电路晶体管中使用的动态阈值技术修正了可能出现的输出压降。所提电路出色的电路性能和差错率使其可以作为复杂算术电路（如乘法器）的最低有效位（LSB）部分。

关键词：碳纳米管场效应晶体管（CNTFET）；优化算法；基于非支配排序的遗传算法II（NSGA-II）；栅极扩散输入（GDI）；近似计算

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分子电子学的发展 Review

Paven Thomas Mathew, 房丰洲

《工程（英文）》 2018年第4卷第6期页码 760-771 doi: 10.1016/j.eng.2018.11.001

摘要：本文将对不同分子器件和潜在的适用于不同器件的分子应用结合起来进行讨论，如分子晶体管、分子二极管、分子电容、分子导线和分子绝缘体等。

关键词：分子电子学分子晶体管分子二极管分子电容器分子导线石墨烯

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高压VDMOS的一种高精度静态物理模型

鲍嘉明,孙伟锋,赵野,陆生礼

《中国工程科学》 2008年第10卷第2期页码 72-78

摘要：

提出了高压VDMOS的一种高精度静态物理模型(HASPM)。在该模型中，基于更为合理的假设而使得用解析方法求得了双扩散沟道区中的电场和电压；通过深入研究VDMOS 内部的物理特性，给出了一个关于漂移区电场的微分方程，并在整个漂移区都用解析方法求解了该微分方程，由此求得了漂移区的电压降。计算结果表明，该模型在漏端电流接近饱和处的稳定性有较大提高，具有较高的计算精度，特别是在栅电压与漏电压都比较大的情况下，其计算精度有较大程度的提高。

关键词：垂直双扩散MOS场效应晶体管静态物理模型解析方法

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基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器 Article

高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东

《工程（英文）》 2023年第21卷第2期页码 61-74 doi: 10.1016/j.eng.2022.06.018

摘要：

本文介绍了一种基于横向运动栅极场效应晶体管（LMGFET）的新型微型力传感器。文中提出了一种用于小型LMGFET器件性能评估的电气模型，与以前的模型相比，其具有更高精度。由此设计了一种新型的三明治夹层结构，该结构由跨轴解耦Au-栅极阵列层和两个柔性光刻胶SU-8 层组成。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65 μA∙nN−1，可与垂直可动栅极场效应晶体管（VMGFET）器件相媲美，器件的非线性度提高了0.78%，测量范围扩大为±5.10上述分析能够为LMGFET器件的电气和结构参数提供全面的设计优化指导，并证明了所提出的传感器在生物医学显微操作应用中具有出色的力传感潜力。

关键词：微力传感器横向运动栅极场效应管柔性光刻胶SU-8 生物医学显微操作

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数字电路可测性设计的一种故障定位方法

潘中良

《中国工程科学》 2002年第4卷第1期页码 69-74

摘要：

在逻辑函数Reed-Muller模式的电路可测性设计方面，文章采用AND门阵列和XOR门树结构来设计电路，提出了一种设计方案，可实现任意逻辑函数的功能，而且所得电路具有通用测试集和完全可故障定位的特点给出了进行故障定位的方法，并可把它应用于其他相关电路的可测性设计。

关键词：逻辑函数数字电路可测性设计故障定位单故障

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制药工业中结晶过程的最新进展 Review

高振国, Rohani Sohrab, 龚俊波, 王静康

《工程（英文）》 2017年第3卷第3期页码 343-353 doi: 10.1016/J.ENG.2017.03.022

摘要：本文中，我们综述了制药工业中晶体工程以及结晶过程设计和控制的最新研究进展，系统地总结了理解和开发新型晶体如共晶、多晶型、溶剂化物的方法，包括一些重要的进展，如第一个共晶药物Entresto (诺华) 的诞生以及结晶过程的设计和控制已使几种创新型结晶器的设计实现连续操作且性能良好。本文还综述了过程分析技术最新的重要研究进展。

关键词：结晶晶体工程多晶型结晶过程设计和控制晶体粒度分布

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结合选择性和数字湿法腐蚀的InAlAs/InGaAs InP基HEMTs两步栅槽腐蚀工艺 Article

Ying-hui ZHONG, Shu-xiang SUN, Wen-bin WONG, Hai-li WANG, Xiao-ming LIU, Zhi-yong DUAN, Peng DING, Zhi JIN

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第8期页码 1180-1185 doi: 10.1631/FITEE.1601121

摘要：本文针对InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管（HEMTs）提出了一种结合高选择性湿法腐蚀和非选择性数字湿法腐蚀的两步栅槽腐蚀工艺。

关键词：高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistors HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀

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三峡工程双线五级船闸设计

钮新强,童迪,宋维邦

《中国工程科学》 2011年第13卷第7期页码 85-90

摘要：

简要介绍了三峡双线五级船闸的总体设计及总体布置，高水头船闸的输水技术，全衬砌船闸结构的关键技术问题，大型人字门及启闭设备和复杂运行条件下的监控技术船闸自2003年投入运行，运行实践证明，设计采用的技术先进、合理、可靠。三峡船闸的设计建设，发展了船闸工程的设计理论和实践，使世界船闸工程技术达到了新水平。

关键词：三峡工程双线五级船闸设计

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中国功能晶体研究进展 Review

王继扬,于浩海,吴以成,Robert Boughton

《工程（英文）》 2015年第1卷第2期页码 192-210 doi: 10.15302/J-ENG-2015053

摘要：

功能晶体是现代科学技术发展的基础材料之一，在当前信息时代发挥着重要和关键的作用。本文总结了若干功能晶体的研究进展，综述了中国功能晶体的现状及重大成就和重要应用，讨论了功能晶体面临的挑战和机遇，提出了可能的发展方向。

关键词：功能材料，激光晶体，非线性光学晶体，闪烁晶体，弛豫型铁电晶体，半导体

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螺旋管簧的可靠性优化设计

张义民,贺向东,闻邦椿

《中国工程科学》 2002年第4卷第5期页码 71-74

摘要：

讨论了螺旋管簧的可靠性优化设计问题。在基本随机变量的概率特性已知的情况下，采用二阶矩法和可靠性优化设计方法对螺旋管簧进行了可靠性优化设计，通过计算机程序可以直接实现螺旋管簧的可靠性优化设计，迅速准确地得到螺旋管簧的可靠性优化设计信息。

关键词：螺旋管簧可靠性优化设计二阶矩技术

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碳纳米管场效应管四进制全加器设计与分析 Article

Mohammad Hossein MOAIYERI,Shima SEDIGHIANI,Fazel SHARIFI,Keivan NAVI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2016年第17卷第10期页码 1056-1066 doi: 10.1631/FITEE.1500214

摘要：本研究在碳纳米管场效应管（carbon nanotube field effect transistors, CNTFET）的基础上提出了两种高性能四进制全加单元。通过在Synopsys HSPICE中使用32 nm斯坦福综合CNTFET模型，在多种测试条件下对所述电路单元进行了仿真。与当前水平的四进制全加器相比，本文所采用的设计平均降低延迟32%，所需平均功率、能耗及静态功率分别为现有水平的68%、83%及77%。仿真结果表明，所述设计在生产制程、电压、温度变化、噪声耐受方面具有较好的鲁棒性。

关键词：纳米电子；碳纳米管场效应管；多值逻辑；四进制逻辑

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基于碳纳米管场效应管的新型三元半加器及乘法器 Article

Sepehr TABRIZCHI,Nooshin AZIMI,Keivan NAVI

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第3期页码 423-433 doi: 10.1631/FITEE.1500366

摘要：碳纳米管场效应管（CNTFETs）被认为是硅晶体管可行的替代方案。将CNTFETs与MVL结合，可以得到更快、更灵活的独特设计方案。本文利用微纳技术和三元逻辑设计出了新型的半加器和乘法器。我们利用斯坦福CNTFET模型和HSPICE软件对本文设计器件进行了仿真，并将仿真结果与相关研究结果进行了对比。

关键词：碳纳米管场效应管设计；三元；半加器；乘法器；多值逻辑

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高钢级钢管和高压输送：我国油气输送管道的重大技术进步

李鹤林,吉玲康,田伟

《中国工程科学》 2010年第12卷第5期页码 84-90

摘要：

近年来，我国管道企业和相关科研院所联合攻关，取得了一批关键技术成果，这些成果包括：研制了X70，X80钢级高性能管线钢及焊管、管件；突破国际上螺旋缝埋弧焊管的使用禁区，确立了具有中国特色的“大口径高压输送主干线螺旋埋弧焊管与直缝埋弧焊管联合使用”的技术路线；在国内首次研究了高压输气管道动态断裂与止裂问题，采用Battelle双曲线模型预测了西气东输和西气东输二线等管道延性断裂的止裂韧性；在国内首次研究了油气管道基于应变的设计方法，解决了该设计方法及抗大变形管线钢管在强震区和活动断层管段应用的技术难题；解决了高强度焊管的腐蚀控制和应变时效控制等技术。

关键词：油气管道管线钢螺旋缝埋弧焊管止裂韧性基于应变的设计