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期刊论文 9

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2018 1

2017 1

2015 1

2013 1

2000 1

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关键词

8英寸 1

CMOS；跨导提升技术；低噪声放大器；变压器；共栅级 1

EBL 1

FIB 1

HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀 1

ICP 1

二次流 1

单晶铜 1

原子力显微镜 1

叶栅气动力学 1

周期性纳米结构 1

场效应管 1

弯扭叶片 1

微力传感器 1

柔性光刻胶SU-8 1

横向运动栅极 1

沟槽栅 1

生物医学显微操作 1

纳米加工 1

纳米台阶 1

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检索范围：

排序：展示方式：

8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 关键技术研究 Article

刘国友,丁荣军,罗海辉

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 361-366 doi: 10.15302/J-ENG-2015043

摘要：

基于8英寸绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 生产线的建设，重点解决了8英寸IGBT先进工艺技术、第四代高压双扩散金属氧化物半导体 (DMOS+) IGBT技术和第五代沟槽栅IGBT技术等关键技术问题

关键词：绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 高功率密度沟槽栅 8英寸轨道交通

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金属网栅透明导电膜光电性能综合评价因子 Research Articles

张怡蕾1,2,曹瑾璇1,2,陆振刚1,2,王赫岩1,2,谭久彬1,2

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年第22卷第11期页码 1532-1540 doi: 10.1631/FITEE.2000690

摘要：获取金属网栅最佳光电性能（零级光学透光率、电磁屏蔽效能和杂散光均匀性）对其在透明电磁屏蔽领域的应用具有重要价值。然而，目前相关研究较少。本文提出一种基于金属网栅光电性能的形式简单的综合评价因子Q，可简便有效地用于不同结构参数的金属网栅光电性能评估。评价因子Q值与TOPSIS的评估结果变化趋势一致，验证了评价因子Q的有效性。评价因子Q还可以对不同图案的金属网栅光电性能进行评估，使其在金属网栅的设计和应用中具有十分广泛的应用前景。

关键词：金属网栅；TOPSIS法；熵权法；综合评价因子；透明导电膜

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结合选择性和数字湿法腐蚀的InAlAs/InGaAs InP基HEMTs两步栅槽腐蚀工艺 Article

Ying-hui ZHONG, Shu-xiang SUN, Wen-bin WONG, Hai-li WANG, Xiao-ming LIU, Zhi-yong DUAN, Peng DING, Zhi JIN

《信息与电子工程前沿（英文）》 2017年第18卷第8期页码 1180-1185 doi: 10.1631/FITEE.1601121

摘要：本文针对InAlAs/InGaAs InP基高电子迁移率晶体管（HEMTs）提出了一种结合高选择性湿法腐蚀和非选择性数字湿法腐蚀的两步栅槽腐蚀工艺。该选择性湿法腐蚀工艺在InAlAs/InGaAs InP基HEMTs栅槽工艺中得到了很好的验证，栅槽腐蚀会自动终止在InAlAs势垒层。最终，两步栅槽腐蚀工艺被成功用于器件制备中，数字湿法腐蚀重复两个周期去掉约3 nm InAlAs势垒层材料。通过该方法制备的InP基HEMTs器件比只依靠选择性湿法腐蚀栅槽工艺制备出的器件具有更短的栅沟间距，表现出更好的有效跨导和射频特性。

关键词：高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistors HEMTs）；栅槽；数字湿法腐蚀；选择性湿法腐蚀

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典型纳米结构制备及其测量表征

蒋庄德,王琛英,杨树明

《中国工程科学》 2013年第15卷第1期页码 15-20

摘要：提出转换薄膜厚度为线宽的公称值、基于多层薄膜淀积技术制备纳米宽度结构的方法，制备出了具有名义线宽尺寸分别为20 nm、25 nm、35 nm的纳米栅线结构。用离线的图像分析算法对所制备的纳米线宽样板的线边缘粗糙度/线宽粗糙度（LER/LWR）以及栅线线宽的一致性进行了评估。实验表明所制备纳米线宽样板的栅线具有较好的一致性，LER/LWR值小，且具有垂直的侧壁。采用电子束直写技术（EBL）和感应耦合等离子体刻蚀（ICP）制备了名义高度为220 nm的硅台阶样板。实验表明刻蚀后栅线边缘LER/LWR的高频成分减少，相关长度变长，均方根偏差值（σ）增大。

关键词：纳米栅线纳米台阶 EBL ICP FIB

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叶轮机械弯扭叶片的研究现状及发展趋势

王仲奇,郑严

《中国工程科学》 2000年第2卷第6期页码 40-48

摘要：

弯扭叶片在20世纪90年代已在英、美等发达国家较普遍地得到应用，在我国也成功地应用于蒸汽轮机，在航空发动机涡轮中的应用也有了良好的开端。文章就叶片弯曲降低能量损失的机理以及静态和动态实验对采用弯曲叶片的效果做了综合评述，对压气机采用弯曲叶片的科研进展，以及遇到的难点也作了概要的介绍。根据我们的设计经验，在文章的最后总结了弯曲叶片级设计时应遵循的几条原则。

关键词：弯扭叶片二次流叶栅气动力学

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基于AFM探针的纳米加工技术制备周期性纳米结构——沟槽和材料堆积形貌相结合 Article

耿延泉, 闫永达, 王继强, Emmanuel Brousseau, 孙彦文, 孙雅洲

《工程（英文）》 2018年第4卷第6期页码 787-795 doi: 10.1016/j.eng.2018.09.010

摘要：

本文提出了一种基于原子力显微镜（AFM）探针的加工技术制备周期性纳米结构的方法，该方法通过将加工得到的沟槽形貌和沟槽边缘的材料堆积形貌相结合得到周期性纳米结构。研究发现控制相邻沟槽的间距是保证周期性纳米结构质量的重要因素。实验结果表明，当相邻刻划轨迹间的进给量值等于单个沟槽两侧材料堆积峰值间的宽度时，可以通过本方法加工得到较高质量的周期性结构。

关键词：原子力显微镜纳米加工周期性纳米结构单晶铜

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基于电感和变压器跨导提升技术、噪声系数为3.2 dB、带宽为9.8–30.1 GHz的CMOS低噪声放大器

陈宏尘1,朱浩慎1,吴亮2,车文荃1,薛泉1

《信息与电子工程前沿（英文）》 2021年第22卷第4期页码 586-598 doi: 10.1631/FITEE.2000510

摘要：利用共栅放大器(M1)和共源放大器（M2）级联构成完整的低噪声放大器。第一级选择共栅级是因为共栅放大器的输入阻抗低，易于实现宽带的输入匹配。首先通过在第一级放大器（共栅级）加入栅极电感Lg，使Lg与晶体管M1的寄生电容在高频处谐振，从而提升M1的等效跨导。

关键词： CMOS；跨导提升技术；低噪声放大器；变压器；共栅级

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基于自解耦三明治结构的横向运动栅场效应晶体管微机电系统微力传感器 Article

高文迪, 乔智霞, 韩香广, 王小章, Adnan Shakoor, 刘存朗, 卢德江, 杨萍, 赵立波, 王永录, 王久洪, 蒋庄德, 孙东

《工程（英文）》 2023年第21卷第2期页码 61-74 doi: 10.1016/j.eng.2022.06.018

摘要：

本文介绍了一种基于横向运动栅极场效应晶体管（LMGFET）的新型微型力传感器。文中提出了一种用于小型LMGFET器件性能评估的电气模型，与以前的模型相比，其具有更高精度。由此设计了一种新型的三明治夹层结构，该结构由跨轴解耦Au-栅极阵列层和两个柔性光刻胶SU-8 层组成。通过所提出的双差分传感布置，LMGFET工作时受垂直干扰产生的输出电流被大大消除，所提出传感器的相对输出误差从4.53%（传统差分结构）降低到0.01%。本文还为所提出的传感器开发和模拟了一个可行的制造工艺过程。基于LMGFET的力传感器的灵敏度为4.65 μA∙nN−1，可与垂直可动栅极场效应晶体管（VMGFET）器件相媲美，器件的非线性度提高了0.78%，测量范围扩大为±5.10 μN。上述分析能够为LMGFET器件的电气和结构参数提供全面的设计优化指导，并证明了所提出的传感器在生物医学显微操作应用中具有出色的力传感潜力。

关键词：微力传感器横向运动栅极场效应管柔性光刻胶SU-8 生物医学显微操作