Search | Engineering

订阅投稿

首页工程期刊工程焦点工程成就工程前沿关于我们 English

资源类型

期刊论文 50

年份

2023 4

2022 2

2021 3

2020 8

2019 6

2018 2

2017 3

2015 1

2014 2

2013 1

2007 2

2006 3

2005 2

2003 2

2002 4

2001 1

2000 4

展开︾

关键词

Cu(In 4

薄膜润滑 4

Ga)Se₂ 3

多晶硅 3

晶体硅太阳电池 2

硅基集成电路；毫米波；超宽带；变压器；低噪声放大器；倍频器；分频器；混频器 2

粘度 2

(GaxIn1−x)2O3薄膜；带隙可调谐；磁控溅射 1

AD9954 1

CCS 1

CO₂分离 1

Ga)Se₂光伏组件 1

Ni–Ti–Cu–V合金 1

PDT 1

TRIP钢 1

VO₂薄膜 1

n-Si 1

丁醇 1

三氣氢硅法 1

展开︾

检索范围：

排序：展示方式：

用于微电子机械系统封装的体硅键合技术和薄膜密封技术

王渭源,王跃林

《中国工程科学》 2002年第4卷第6期页码 56-62

摘要：

对静电键合、体硅直接键合和界面层辅助键合等三种体硅键合技术，整片操作、局部操作和选择保护等三种密封技术，以及这些技术用于微电子机械系统的密封作了评述，强调在器件研究开始时应考虑封装问题，具体技术则应在保证器件功能和尽量减少芯片复杂性两者之间权衡决定

关键词：体硅键合技术薄膜密封技术微电子机械系统封装技术

HTML PDF 收藏

柔性太阳电池发展研究

王辉, 曹越先, 冯江山, 杜敏永, 张豆豆, 王开, 秦炜, 刘生忠

《中国工程科学》 2018年第20卷第3期页码 66-73 doi: 10.15302/J-SSCAE-2018.03.010

摘要：本文介绍了柔性硅薄膜太阳电池、柔性碲化镉太阳电池、柔性铜铟镓硒太阳电池和柔性钙钛矿太阳电池的电池结构、制备方法和发展现状，分析了柔性太阳电池效率提升以及产业化过程中存在的问题，并从柔性衬底选择、电池效率提升

关键词：柔性太阳电池硅薄膜铜铟镓硒碲化镉钙钛矿

HTML PDF 收藏

硅及硅基半导体材料中杂质缺陷和表面的研究

屠海令

《中国工程科学》 2000年第2卷第1期页码 7-17

摘要：

随着超大规模集成电路设计线宽向深亚微米级（＜0.5μm）和亚四分之一微米级（＜0.25μm）发展，对半导体硅片及其它硅基材料的质量要求越来越高，研究上述材料中各种杂质的行为，控制缺陷类型及数量文章阐述了深亚微米级和亚四分之一微米级集成电路用大直径硅材料中铁、铜金属和氧、氢、氮非金属杂质元素的行为，点缺陷及其衍生缺陷的本质与控制方法，硅片表面形貌、表面污染与检测方法的研究热点。同时还介绍了外延硅、锗硅及绝缘体上硅（SOI）等硅基材料的特性、制备及工艺技术发展趋势，展望了跨世纪期间硅及硅基材料产业发展的技术经济前景。

关键词：硅片硅外延片锗硅绝缘体上硅杂质行为缺陷控制表面质量

HTML PDF 收藏

电子级多晶硅的生产工艺

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第12期页码 34-39

摘要：

就建设1000t电子级多晶硅厂的技术进行了探讨。对三氣氢硅法、四氣化硅法、二氣二氢硅法和硅烷法生产的多晶硅质量、安全性、运输和存贮的可行性、有用沉积比、沉积速率、一次转换率、生长温度、电耗和价格进行了对比；对还原或热分解使用的反应器即钟罩式反应器、流床反应器和自由空间反应器也进行了比较介绍了用三氣氢硅钟罩式反应器法生产多晶硅三代流程。第三代多晶硅流程适于1000t/a级的电子级多晶硅生产。

关键词：多晶硅三氣氢硅法硅烷法流程生产

HTML PDF 收藏

薄膜润滑径向轴承特性分析

曲庆文,柴山,姚福生

《中国工程科学》 2003年第5卷第6期页码 44-48

摘要：

薄膜润滑轴承的特性远不同于常规轴承，在考虑间隙对润滑剂产生的影响后，润滑剂的特性将发生较大的变化。由于这种变化，薄膜润滑的特性才被广泛地研究和重视。

关键词：薄膜润滑等效粘度径向轴承

HTML PDF 收藏

非线性弹性薄膜表面效应的尺寸相关性研究

黄殿武,连媛,李凯

《中国工程科学》 2006年第8卷第4期页码 54-59

摘要：

在Mindlin假设的前提下，考虑了几何非线性条件及表面效应的影响，建立了纳米尺度下尺寸相关的板状各向同性弹性薄膜模型；从哈密尔顿变分原理出发，导出了薄膜的控制方程，用公式明确阐述了由表面张力引起的符合经典板理论且与薄膜变形相关的残余膜力和弯矩；通过微小尺寸薄膜弯曲的算例，说明了表面效应与薄膜厚度的相关性，当薄膜厚度等于或者小于其内禀尺度时，表面效应对薄膜厚度表现出很强的敏感性。

关键词：弹性薄膜几何非线性表面效应内禀尺度尺度相关

HTML PDF 收藏

薄膜润滑研究的回顾与展望

雒建斌,张朝辉,温诗铸

《中国工程科学》 2003年第5卷第7期页码 84-89

摘要：

薄膜润滑是20世纪90年代以来广泛研究的新型润滑状态。它是界于弹流润滑和边界润滑之间的一种过渡润滑状态，有着自己独特的润滑规律。文章回顾了薄膜润滑的研究历史，包括薄膜润滑概念的提出、测试技术的发展、薄膜润滑的膜厚特性、润滑机理探索以及计算理论等方面的研究成果与主要进展。

关键词：薄膜润滑有序膜膜厚测量微结构

HTML PDF 收藏

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

梁骏吾

《中国工程科学》 2000年第2卷第6期页码 33-35

摘要：

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736 t/a和1304 t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80 t/a，所以在中国建设一座年产1000 t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知，自1997年以来，世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求，而且在最近的将来，这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场，未来的多晶硅工厂将面临挑战，产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场，在保证多晶硅产品纯度的前提下，生产成本只能略微超过20美元/kg。

关键词：多晶硅半导体工业规模生产

HTML PDF 收藏

硅基石墨烯调制器 Special Feature on Optoelectronic Devices and Inte

Hao-wen SHU, Ming JIN, Yuan-sheng TAO, Xing-jun WANG

《信息与电子工程前沿（英文）》 2019年第20卷第4期页码 458-471 doi: 10.1631/FITEE.1800407

摘要：为满足下一代光互联技术高带宽、低功耗的需求，基于金属互补氧化物半导体（CMOS）工艺的硅基光电子技术有望实现光电器件大规模、高密度集成，在高速率数据传输方面带来新突破。硅基调制器是硅基光电子学的核心器件之一，然而传统基于等离子色散效应的硅基耗尽式调制器在带宽、尺寸和功耗方面存在一定限制，影响传输系统整体性能。为解决该问题，石墨烯被引入硅基光电子器件的材料体系，其优异的电学传输特性和光电特性有效提升传统硅基光调制器单元器件性能。我们总结了基于热光、电光、等离子体等硅基石墨烯调制器的最新进展，其出色性能使硅基石墨烯调制器有望成为下一代片上及片外光互连技术的候选方案。

关键词：硅基光电子学；石墨烯；光调制器

HTML PDF 收藏

影响微电子机械系统成品率和可靠性和粘合力和磨擦力

王渭源

《中国工程科学》 2000年第2卷第3期页码 36-41

摘要：解决粘合的最好办法是：在MEMS微结构的表面涂以抗粘合薄膜，将成品器件在干燥气氛下封装。介绍了抗粘合薄膜的制备工艺和目前存在的问题。相比之下，具有高速运动的MEMS,其摩擦力问题更为复杂。应用抗粘合薄膜，解决了粘合，也降低了摩擦力，但摩擦依然存在。摩擦带来磨损，降低器件可靠性和寿命。寻找既抗粘合、又耐磨的薄膜，是解决高速运动MEMS可靠性和寿命的一个关键。

关键词：微电子机械系统粘合力摩擦力抗粘合薄膜耐磨损薄膜

HTML PDF 收藏

旋转体自身驱动的硅微机械陀螺

张福学,毛旭,张伟

《中国工程科学》 2006年第8卷第8期页码 23-27

摘要：

报道了一种利用旋转体自身角速度作为驱动力，通过各向异性刻蚀硅片制作的硅微机械陀螺。介绍了该陀螺敏感结构（硅摆）的设计、制作与封装工艺，用仿真器测试了旋转体的角速率。

关键词：硅各向异性腐蚀角速度仿真器

HTML PDF 收藏

用硅基激光器提高数据容量限制

Peter Weiss

《工程（英文）》 2019年第5卷第5期页码 824-825 doi: 10.1016/j.eng.2019.08.011

HTML PDF 收藏

用于制造高效低成本太阳能电池的单晶种铸造大型单晶硅 Article

Bing Gao,Satoshi Nakano,Hirofumi Harada,Yoshiji Miyamura,Takashi Sekiguchi,Koichi Kakimoto

《工程（英文）》 2015年第1卷第3期页码 378-383 doi: 10.15302/J-ENG-2015032

摘要：

为了能以低成本生产优质大型单晶硅，笔者提出了单晶种铸造技术。这项技术的实施，必须解决两个问题，即坩埚壁上的多晶成核问题和晶体内的位错增殖问题。在本文中，笔者尝试通过数值分析法来解决这两个问题。根据数值分析得出的优化熔炉结构和工况进行了实验，在实验中采用单晶种铸造技术来生长单晶硅。实验结果表明，该技术远优于常用的高性能多晶和准单晶铸造技术。

关键词：单晶种铸造单晶硅多晶成核位错增殖多晶硅